Contactez-nous
Composants électroniques à commande en courant
Composants de l’électronique de puissance
E3960 v1 Archive

Composants électroniques à commande en courant
Composants de l’électronique de puissance

Auteur(s) : François BERNOT

Date de publication : 10 août 2000

Logo Techniques de l'Ingenieur Cet article est réservé aux abonnés
Pour explorer cet article plus en profondeur Consulter l'extrait gratuit

Déjà abonné ?

Présentation

1 - Notions de physique du semi-conducteur

2 - Composants électroniques à commande en courant

3 - Composants électroniques à commande en tension

4 - Choix des composants

5 - Boîtiers et technologies intégrées

6 - Conclusion

Sommaire

Présentation

Auteur(s)

  • François BERNOT : Ingénieur SUPELEC - Professeur des universités à l’École d’ingénieurs de Tour s

Lire cet article issu d'une ressource documentaire complète, actualisée et validée par des comités scientifiques.

Lire l’article

INTRODUCTION

Les composants électroniques que nous étudions dans cette série d’ouvrages sont souvent considérés comme des interrupteurs parfaits. Mais il serait dommage de nous contenter d’une telle approche car quelques notions de physique du semi-conducteur nous permettront de mieux comprendre les mécanismes de commutation et surtout d’appréhender l’évolution rapide du domaine.

Les développements qui suivent sont basés sur des images simples et n’utilisent jamais de démonstrations de physique théorique. En se limitant à ces aspects élémentaires, les principes fondamentaux sont malgré tout présentés, même si leur justification complète est absente. Nous pourrons alors conclure sur l’évolution probable des semi-conducteurs de puissance, en justifiant concrètement nos propos.

Précisons que nous ne parlons pas des tubes électroniques, qui font désormais partie du passé, puisque seules quelques applications de puissance en radiofréquence en ont encore besoin.

Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 95 % à découvrir.

Pour explorer cet article Consulter l'extrait gratuit

Déjà abonné ?


VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-e3960

Article inclus dans l'offre

"Électronique"

(238 articles)

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Des contenus enrichis

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir l'offre

2. Composants électroniques à commande en courant

Les méthodes que nous avons examinées permettent d’empiler des couches de type P ou N. Nous allons présenter maintenant leur association, en couches doubles, triples et quadruples, en remplaçant les démonstrations de physique théorique par des images simples mais parlantes.

Lorsque du silicium est dopé (N par exemple), les porteurs du type opposé (P dans ce cas) sont fortement réduits. Mais il est possible de démontrer que dans toutes les jonctions PN, ce sont les minoritaires (P dans ce cas) qui contrôlent le fonctionnement du composant. Nous verrons que le blocage des diodes se fait toujours par recombinaison de charges au sein de la zone de transition. Ce mécanisme, s’il n’est pas accéléré par le circuit de puissance (commutation assistée), est libre (commutation forcée). Dans ce dernier cas, un temps proportionnel au taux de dopage est nécessaire pour que toutes les charges se soient recombinées.

Nous pouvons donc séparer les composants à porteurs minoritaires (N ou P) de leurs homologues dits à porteurs majoritaires, comme les MOSFETs, les JFETs et les SITs. Le premier type de composant est intrinsèquement lent puisqu’il met en œuvre des jonctions PN, qu’il faut vider de leurs charges pour les bloquer. Le second type n’a que des résistances variables qui ne stockent pas de charges en excédent. La première appellation contrôlée (composant à porteurs minoritaires) correspond en pratique à des composants régis par des jonctions PN : diodes, transistors bipolaires, thyristors, triacs, GTOs, mais aussi IGBTs et SITHs. Tous les composants que nous allons examiner dans ce paragraphe sont donc dits à porteurs minoritaires.

2.1 Jonction PN

Nous allons voir comment la jonction de deux zones dopées différemment engendre une diode. Ces mécanismes se retrouvant dans tous les autres semi-conducteurs, il est très important de bien les assimiler.

Si un barreau de silicium reçoit un dopage de type P d’un côté et N de l’autre, un phénomène particulier apparaît (figure 15) : dans la zone frontière, toutes les charges libres négatives (électrons) se recombinent avec les charges positives (trous fictifs). Une zone, dite de transition, se crée où aucun électron ne peut plus s’arrêter.

Cette zone, large d’environ un micromètre, se rétrécit quand le taux de dopage augmente, mais elle s’élargit lorsqu’une tension inverse est appliquée à la jonction....

Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 93 % à découvrir.

Pour explorer cet article Consulter l'extrait gratuit

Déjà abonné ?


Lecture en cours
Composants électroniques à commande en courant

Article inclus dans l'offre

"Électronique"

(238 articles)

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Des contenus enrichis

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir l'offre

Sommaire
Sommaire

BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - BOSE (B.K.) -   Modern Power Electronics and AC drives  -  . 2001, Prentice Hall.

  • (2) - BUHLER (H.) -   Électronique de réglage et de commande  -  . 1990, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.

  • (3) - BUHLER (H.) -   Convertisseurs statiques  -  . 1991, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.

  • (4) - BUHLER (H.) -   Réglage de systèmes d’électronique de puissance  -  . 1999, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.

  • (5) - DALMASSO (J.L.) -   Cours d’électrotechnique. 1 : Machines tournantes à courants alternatifs, 1985. 2 : Traitement de l’énergie électrique (convertisseurs statiques) 1984. 3 : Electronique de puissance 1986  -  , Belin.

  • (6) - MILSANT (F.) -   Problèmes d’électronique  -  . 1996, Ellipses.

  • ...

DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES

  • *

Logo Techniques de l'Ingenieur

Cet article est réservé aux abonnés.
Il vous reste 92 % à découvrir.

Pour explorer cet article Consulter l'extrait gratuit

Déjà abonné ?


Article inclus dans l'offre

"Électronique"

(238 articles)

Une base complète d’articles

Actualisée et enrichie d’articles validés par nos comités scientifiques.

Des contenus enrichis

Quiz, médias, tableaux, formules, vidéos, etc.

Des modules pratiques

Opérationnels et didactiques, pour garantir l'acquisition des compétences transverses.

Des avantages inclus

Un ensemble de services exclusifs en complément des ressources.

Voir l'offre

Ressources documentaires

Composants bipolaires (thyristors, triacs, GTO, GCT et BJT) : circuits de commande

Cet article présente les principes de commande des principaux composants à semi-conducteur de puissance ...

Transistors et circuits intégrés à hétérostructures (III-V)

Le comportement des composants électroniques à semi-conducteurs est largement conditionné par la nature ...

Dual Active Bridge (DAB) pour la conversion continu-continu

Cet article mène une étude détaillée du convertisseur Dual Active Bridge (DAB). Cette topologie de ...