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Choix des composants
Composants de l’électronique de puissance
E3960 v1 Archive

Choix des composants
Composants de l’électronique de puissance

Auteur(s) : François BERNOT

Date de publication : 10 août 2000

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Présentation

1 - Notions de physique du semi-conducteur

2 - Composants électroniques à commande en courant

3 - Composants électroniques à commande en tension

4 - Choix des composants

5 - Boîtiers et technologies intégrées

6 - Conclusion

Sommaire

Présentation

Auteur(s)

  • François BERNOT : Ingénieur SUPELEC - Professeur des universités à l’École d’ingénieurs de Tour s

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INTRODUCTION

Les composants électroniques que nous étudions dans cette série d’ouvrages sont souvent considérés comme des interrupteurs parfaits. Mais il serait dommage de nous contenter d’une telle approche car quelques notions de physique du semi-conducteur nous permettront de mieux comprendre les mécanismes de commutation et surtout d’appréhender l’évolution rapide du domaine.

Les développements qui suivent sont basés sur des images simples et n’utilisent jamais de démonstrations de physique théorique. En se limitant à ces aspects élémentaires, les principes fondamentaux sont malgré tout présentés, même si leur justification complète est absente. Nous pourrons alors conclure sur l’évolution probable des semi-conducteurs de puissance, en justifiant concrètement nos propos.

Précisons que nous ne parlons pas des tubes électroniques, qui font désormais partie du passé, puisque seules quelques applications de puissance en radiofréquence en ont encore besoin.

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https://doi.org/10.51257/a-v1-e3960

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4. Choix des composants

Le choix d’un des composants présentés dans les paragraphes 2 et 3 peut se résumer comme suit :

  • MOSFET : application basse tension (U < 100 V) ;

  • IGBT : application moyenne tension haute fréquence (100 V < U < 1 000 V) ;

  • thyristor ou triac : application moyenne tension fréquence secteur (100 V < U < 1 000 V) ;

  • GTO : application haute tension, basse fréquence (> 1 000 V) (forte puissance).

En ce qui concerne les évolutions prochaines, trois solutions se dégagent :

  • l’utilisation d’un canal, comme dans le SIT (composants ultra-rapides avec des pertes en conduction élevées pour les modèles haute tension) ;

  • l’effet transistor bipolaire, seul ou amélioré comme pour l’IGBT (composants rapides avec des pertes en conduction peu élevées et aptes à la haute tension) ;

  • l’effet thyristor, seul ou amélioré comme pour le GTO, le SITH ou le MCT (composants lents avec des pertes en conduction très faibles et aptes à la très haute tension).

En fait, si les composants ont évolué, cette classification n’a pas changé depuis trente ans. En effet, en intégrant des entrées à commande capacitive, le concepteur reste confronté aux mêmes compromis qu’avant. S’il prend une structure à...

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Sommaire
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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - BOSE (B.K.) -   Modern Power Electronics and AC drives  -  . 2001, Prentice Hall.

  • (2) - BUHLER (H.) -   Électronique de réglage et de commande  -  . 1990, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.

  • (3) - BUHLER (H.) -   Convertisseurs statiques  -  . 1991, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.

  • (4) - BUHLER (H.) -   Réglage de systèmes d’électronique de puissance  -  . 1999, Presses Polytechniques et Universitaires Romandes.

  • (5) - DALMASSO (J.L.) -   Cours d’électrotechnique. 1 : Machines tournantes à courants alternatifs, 1985. 2 : Traitement de l’énergie électrique (convertisseurs statiques) 1984. 3 : Electronique de puissance 1986  -  , Belin.

  • (6) - MILSANT (F.) -   Problèmes d’électronique  -  . 1996, Ellipses.

  • ...

DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES

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