| Réf : E2440 v2

Circuits intégrés en arséniure de gallium

Auteur(s) : Etienne DELHAYE

Date de publication : 01 déc. 1991

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Auteur(s)

  • Etienne DELHAYE : Ingénieur de l’École Nationale Supérieure des Télécommunications de Bretagne - Docteur Ingénieur de l’Université Scientifique et Médicale de Grenoble - Ingénieur de Recherche aux Philips Research Laboratories (Eindhoven)

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INTRODUCTION

1. Introduction

1.1 Pourquoi les circuits intégrés III-V ?

1.2 Composants III-V

1.3 De la recherche au développement

2. Technologie des circuits intégrés III-V

2.1 Technologies alignées : un exemple

2.1.1 Couche active des MESFET

2.1.2 Étapes technologiques

2.2 Évolution

2.2.1 De nouveaux matériaux pour de nouveaux composants

2.2.2 Technologies autoalignées

3. Circuits numériques

3.1 Différents types de portes logiques

3.1.1 Logiques à MESFET à désertion

3.1.2 Logiques à MESFET à enrichissement

3.2 Réalisations des fonctions numériques

3.2.1 Bascules et diviseurs de fréquence

3.2.2 Circuits arithmétiques et réseaux de portes

3.2.3 Mémoires RAM statiques

3.3 Applications, performances et limitations des circuits intégrés numériques III-V

4. Circuits analogiques

4.1 Utilisation du MESFET dans les circuits analogiques jusqu’à 5 GHz

4.2 Applications et performances

4.3 Circuits intégrés hyperfréquences

Références bibliographiques

Cet article fait des emprunts à l’édition précédente rédigée par Marc Rocchi.

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VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v2-e2440


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