| Réf : R2580 v1

Thermistances CTN et autres thermomètres à semi-conducteurs

Auteur(s) : Georges BONNIER, Hélène RONSIN

Date de publication : 10 janv. 1991

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Auteur(s)

  • Georges BONNIER : Ingénieur du Conservatoire National des Arts et Métiers - Responsable de la thermométrie à l’Institut National de Métrologie

  • Hélène RONSIN : Docteur ès Sciences - Maître de Conférences au Conservatoire National des Arts et Métiers

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INTRODUCTION

1. Conduction dans les semi-conducteurs

2. Thermistances

2.1 Classification et présentation

2.2 Caractéristiques métrologiques des CTN

2.3 Instrumentation associée

3. Capteurs au silicium

3.1 Fabrication

3.2 Caractéristiques

4. Présentations industrielles des fils et renforts textiles

4.1 Caractéristique R = f (T ) et sensibilité

4.2 Présentation

4.3 Montage et utilisation

4.4 Stabilité. Reproductibilité

4.5 Propriétés thermiques

4.6 Étalonnage

4.7 Facteurs d’influence extérieurs

4.8 Instrumentation associée

5. Diodes et transistors

Cet article regroupe la description des matériaux semi-conducteurs utilisés comme capteurs de température. Le mot « thermistance » est l’adaptation française de thermistor, contraction de thermally sensitive resistor. Il désigne des matériaux semi-conducteurs, généralement à base d’oxydes métalliques dopés, dont la résistance électrique varie fortement avec la température. Pour les autres applications des thermistances, le lecteur se reportera à la bibliographie [Doc. R 2 580].

Bien que n’étant pas appelés thermistances, les semi-conducteurs de la colonne IV A du tableau de Mendeleïev (C, Ge, Si), convenablement dopés, sont également utilisés comme capteurs de température et sont décrits aux paragraphes 3 et 4.

Enfin, le dernier paragraphe présente des capteurs de température semiconducteurs qui ne font pas appel à leurs propriétés résistives (diodes et transistors).

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-r2580


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