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Auteur(s)
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Jean MACHET : Professeur à l’Université de Limoges
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Les dépôts ioniques (ou ion plating) regroupent différentes techniques de dépôts sous vide dans lesquelles le matériau à déposer est mis en phase vapeur en présence d’une décharge électrique, le substrat jouant le rôle de cathode.
VERSIONS
- Version courante de juin 2014 par Erich BERGMANN
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"Traitements des métaux"
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2. Caractéristiques des dépôts
2.1 Adhérence des dépôts
L’adhérence est en général excellente, et elle est supérieure à celle que l’on peut obtenir par les autres techniques quel que soit le couple dépôt-substrat. Ceci est dû :
-
à la préparation de la surface du substrat avant dépôt ;
-
à la formation d’une interface dépôt-substrat où se mélangent le matériau constituant le substrat et celui du dépôt.
2.1.1 Préparation de la surface avant dépôt
Quelle que soit la technique de dépôt utilisée, l’état de surface du substrat avant le dépôt joue un rôle fondamental sur l’adhérence de ce dernier. Ceci explique les nombreux procédés de nettoyage ou d’activation chimiques du substrat avant la réalisation du dépôt dans les méthodes classiques. Ces techniques, qui apportent souvent des améliorations importantes au niveau de l’adhérence, sont aussi, dans de nombreux cas, de portée limitée car elles ont lieu, en général, à l’air libre, en dehors de l’enceinte où a lieu le dépôt. Le substrat a alors le temps de se polluer à nouveau, entre la phase nettoyage et la phase dépôt. Dans la technique des dépôts ioniques, ce phénomène peut être évité en opérant de la manière suivante : avant de commencer l’évaporation on amorce une décharge électrique dans un gaz, neutre en général. Les ions créés dans cette décharge pulvérisent le substrat ce qui permet de le débarrasser de ses impuretés de surface (oxydes, vapeur d’eau, etc.). En commençant ensuite l’évaporation tout en maintenant la décharge, on peut réaliser un dépôt sur une surface parfaitement propre. Pour montrer l’intérêt de cette continuité entre les phases nettoyage et dépôt, on peut rappeler que, pour une pression résiduelle égale à 4 × 10– 4 Pa, il faut moins d’une seconde pour former une couche monomoléculaire du gaz constituant cette atmosphère résiduelle à la surface du substrat.
...Caractéristiques des dépôts
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