Article

1 - CONTEXTE

2 - PROPRIÉTÉS DES HÉTÉROSTRUCTURES UNIDIMENSIONNELLES

  • 2.1 - Hétérostructures simples
  • 2.2 - Hétérostructures multiples

3 - APPLICATIONS EN NANOÉLECTRONIQUE ET NANOPHOTONIQUE

4 - HÉTÉROSTRUCTURES BI- ET TRIDIMENSIONNELLES

  • 4.1 - Composants balistiques : les guides d'ondes électroniques
  • 4.2 - Boîtes quantiques pour l'émission de lumière

5 - CONCLUSION

Article de référence | Réf : NM1100 v1

Composants à hétérostructures : applications en nanoélectronique et nanophotonique

Auteur(s) : Olivier VANBÉSIEN

Date de publication : 10 avr. 2006

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RÉSUMÉ

Les hétérostructures semi-conducteurs sont devenues incontournables dans le développement de la nanoélectronique et la nanophotonique. Cet article propose un tour d’horizon de ces composants à hétérostructures et des domaines couverts par leurs applications. Tout récemment, l'obtention d'interfaces de grande qualité permet d'atteindre une précision de l'ordre de la demi-couche atomique. Les exemples retenus illustrent parfaitement l'intérêt de ces structures hors normes : transistors bipolaires à hétérojonctions, effet tunnel résonnant interbande, lasers à cascade quantique. L'article s'ouvre pour terminer sur le confinement multiple avec les hétérostructures bi et tri-dimensionnelles

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ABSTRACT

Semiconductor heterostructures have become indispensable to the development of nanoelectronics and nanophotonics. This article provides an overview of these heterostructure components and the fields covered by their applications. Most recently, the use of high quality interfaces has achieved accuracy in the order of a half mono-layer. The selected examples fully demonstrate the importance of these extraordinary structures: heterojunction bipolar transistors (HBT), resonant interband tunneling, quantum cascade lasers (QCLs). The article concludes with a presentation of the multiple containment of two and three-dimensional heterostructures.

Auteur(s)

INTRODUCTION

Les hétérostructures semi-conductrices sont devenues incontournables dans le développement de la nanoélectronique et de la nanophotonique, impliquant l'émergence d'une nouvelle classe de dispositifs basée sur l'exploitation quasi systématique de la nature ondulatoire des particules.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-nm1100


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - GRIFFITH (Z.), RODWELL (M.J.W.), FANG (X.-M.), LOUBYCHEV (D.), WU (Y.), FASTENAU (J.M.), LIU (A.W.K) -   InGaAs/InP DHBTs with 120-nm collector having simultaneously high fT , .  -  IEEE Electron Device Letters, 26(9), p. 530-2 (2005).

  • (2) - TSAI (M.-K.), TAN (S.-W.), YANG (Y.-J.), LOUR (W.-S.) -   Improvements in direct-current characteristics of Al0,45Ga0,55As-GaAs digital-grade superlaticce emitter HBTs with reduced turn-on voltage by wet oxydation.  -  IEEE Transactions on Electron Devices, 50(2), p. 303-9 (2003).

  • (3) - GRIFFITH (Z.), DAHLSTRÖM (M.), URTEAGA (M.), RODWELL (M.J.W.), FANG (X.-M.), LUBYSHEV (D.), WU (Y.), FASTENAU (J.M.), LIU (W.K.) -   InGaAs-InP Mesa DHBTs with simultaneously high fT and fmax and low Ccb/Ic ratio.  -  IEEE Electron Device Letters, 25(5), p. 250-2 (2004).

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  • ...

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