HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute [...]
10 mars 2024
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HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute [...]
10 mars 2024
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN... de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés... et plus récemment [...]
10 juil. 2024
élastique ne sont pas favorables, notamment pour la fabrication de lasers. La famille des nitrures (GaN, Al... de microscopie électronique à haute résolution de boîtes quantiques de GaN. L’une est recouverte d’Al... que nous utilisons [...]
10 juil. 2005
En tant que semi-conducteur « ultime », le diamant est le matériau tout indiqué pour concevoir les futurs composants d’électronique haute puissance. Nous avons...
Alors que 2024 s’achève et que 2025 pointe le bout de son nez, faisons un point sur les contenus que vous avez le plus appréciés sur notre site cette année.
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Le développement de peaux électroniques artificielles, composées de capteurs souples, nécessite l’utilisation de matériaux fins, légers, résistants et flexibles....
Pionnière sur le marché français des Driver Monitoring System (DMS), la jeune entreprise innovante INNOV+ a débuté son itinéraire d’innovation en 2014. Elle...
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