- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2024
|- Réf : E1995
HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap GaN... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence... » tel que le SiC et le GaN, avec des gaps respectifs de 3,2 eV et 3,4 eV. Ces semiconducteurs permettent...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2024
|- Réf : E1996
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN... de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés... et plus récemment les semi-conducteurs dit grand gap, tels que le SiC et le GaN avec des gaps respectifs de 3,2 et 3... de la filière GaN sont surtout destinés à l’application de puissance hyperfréquence et à la conception...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires : RECHERCHE ET INNOVATION
|- 10 juil. 2005
|- Réf : RE35
élastique ne sont pas favorables, notamment pour la fabrication de lasers. La famille des nitrures (GaN, Al... de microscopie électronique à haute résolution de boîtes quantiques de GaN. L’une est recouverte d’Al... que nous utilisons pour la croissance de boîtes quantiques de GaN et d’InGaN dopées avec des ions de terres rares... électronique d’une boîte de GaN, illustre une propriété remarquable des boîtes quantiques : l’interface GaN/Al...
Les articles Recherche et Innovation présentent des technologies en cours de développement, émergentes, qui n'ont pas encore atteint leur pleine maturité pour un développement industriel mais sont prometteuses.