: (Danilenko) (On retrouve D GD = D pour p G = p D et t g = 50 ms). Temps central binaural...
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en un assemblage « triangle » C GS , C GD , C DS , comme l’indique la figure 9 b . Capacité... C GD Cette capacité, principale responsable de l’ effet « Miller » , c’est-à... ’oxyde ( C GD1 sur la figure 9 a ) et de la capacité de la charge d’espace développée dans le silicium... ( C GD2 ). Tant que V DS < V GS , cette charge d’espace est accumulée, d’épaisseur négligeable...
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, C GD et C DS représentent les capacités grille-source, grille-drain et drain... , une première série d’éléments est : C GS = 110 fF ; C GD = 30 fF ; C DS = 40 fF ; R C = 4,6 Ω... sont C GS , C GD , C DS , g 0 , R C , R DS et . La figure 4 donne des exemples... de schéma équivalent C GS , C GD , R S , R D , etc., les éléments du schéma d’un transistor...
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