Cette deuxième partie de l’étude des composants de puissance unipolaires et mixtes est principalement consacrée au transistor Métal-Oxyde-Semiconducteur et aux dispositifs qui en dérivent. En continuité avec l’article Semi-conducteurs de puissance unipolaires et mixtes (partie 1) pour ce qui touche aux composants unipolaires, elle se fonde par ailleurs, pour les composants mixtes, sur les principes généraux des composants bipolaires, tels qu’ils sont présentés dans l’article Composants semi-conducteurs de puissance bipolaires. Partie 1.
L’apparition des transistors Métal-Oxyde-Semiconducteur de puissance, puis de toute une gamme de composants plus complexes où sont combinés l’effet de champ MOS et des mécanismes d’injection bipolaires, a accompagné, pendant la décennie 1980, un changement radical de conception dans le domaine des composants de l’électronique de puissance : la commande MOS « isolée » et l’association en parallèle, dans le même cristal, d’un nombre élevé de composants ou « cellules » élémentaires (jusqu’à plusieurs millions d’unités) résout l’apparente incompatibilité des technologies de puissance classiques et des technologies purement microélectroniques. Les dispositifs étudiés ici sont donc déjà des composants de puissance intégrés, les formes les plus abouties étant décrites dans l’article Composants semi-conducteurs- Intégration de puissance monolithique « Intégration de puissance ».
