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Ute c 15 110

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Ute c 15 110 dans les ressources documentaires

  • ARTICLE INTERACTIF
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  • 10 nov. 2020
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  • Réf : BN3741

Graphites et composites C/C pour réacteurs nucléaires de 4e génération

/température) celles-ci sont généralement plus faibles que pour des graphites quasi-isotropes. Le graphite isotrope IG-110 irradié à 600 °C... par vibro-tassage) ainsi que du graphite IG-110 sont présentées dans le tableau  3 . Composites... , isotrope (IG-110), un carbone vitreux (représentatif d’une matrice obtenue par PIP), un carbone pyrolytique... est d’employer un tube en C/C, de diamètre interne d’environ 1,5 m, d’épaisseur ~ 10 mm...

Les bases documentaires des Techniques de l'Ingénieur couvrent tous les grands domaines de l'ingénierie. Lancez votre recherche, affinez-là, obtenez vos réponses !

  • Article de bases documentaires
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  • 10 nov. 2007
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  • Réf : D3122

Composants de puissance en SiC

présente une résistance spécifique à l'état passant de 110 mΩ · cm –2 dans la zone active et commence... dans de nombreux domaines du génie électrique. Le SiC (carbure de silicium) n'est pas arrivé à un stade de maturité...   [D 3 120] sont présentées les technologies de fabrication des composants de puissance en SiC... en évidence les gains apportés par la technologie SiC pour l'électronique de puissance, sans la prétention d...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • Article de bases documentaires
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  • 10 août 2012
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  • Réf : E1990

Matériaux semiconducteurs à grand gap : le carbure de silicium (SiC)

de micropipes de 0 à 15 cm -2 , densité de dislocations de 10 2 à 10 3  cm -2 . Polytypes 2H-SiC et 3C-Si... SiC semi-conducteur... capteurs SiC/Si... graphène sur SiC...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.


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