- Article de bases documentaires
|- 10 févr. 2026
|- Réf : E1997
Cet article décrit les principes physiques sur lesquels s’appuie la technologie d'intégration des modulateurs électro-optiques dans le niobate de lithium (LiNbO 3 ), principalement par les méthodes de diffusion métallique pour le guidage confiné de la lumière. Il donne les règles de conception de composants de modulation optique pour les amener à un niveau industriel. L'article insiste en particu...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 avr. 2016
|- Réf : E3401
wafer level packaging... « system-in-package », « wafer level packaging », « intégration 3D », « through silicon vias... sont fabriqués sur des substrats en silicium ( wafer ) dont le diamètre est variable (généralement 200 à 300... . Le wafer level packaging (encapsulation au niveau de la tranche) est une forme de packaging opéré...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 mai 2009
|- Réf : E3405
-conductrice Elle est généralement réalisée à partir de tranche silicium ( wafer ), ou autres semi... pour Wafer Level Package , c'est-à-dire les composants dont l'encapsulation est réalisée directement... au niveau de la tranche silicium ( wafer ) juste après la fabrication de la partie active du semi... au niveau de la tranche du semi-conducteur ( wafer ), et les opérations de report de la puce, refusion...
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