7. Conclusion
La modélisation du dépôt par couche atomique s’est progressivement affirmée comme un champ pleinement multi-échelle, capable de relier la chimie élémentaire des interactions précurseur/surface aux performances globales du procédé. Ce panorama montre que son apport ne se limite plus à l’interprétation de quelques mécanismes réactionnels isolés : il fournit aujourd’hui un cadre cohérent pour comprendre la croissance des couches, la formation des interfaces, les phénomènes de transport et l’impact des paramètres opératoires. En ce sens, la modélisation a profondément contribué au passage d’une approche encore largement empirique de l’ALD à une approche plus rationnelle et mécanistique.
L’un des enseignements majeurs est qu’aucun niveau de description ne suffit à lui seul. Les calculs de premiers principes restent indispensables pour identifier les chemins réactionnels, estimer les barrières d’activation...
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