Jonctions émettrices à semi-conducteur
Mesures sur les composants d’émission

Les dispositifs à semi-conducteur émettant de la lumière utilisent comme effet physique l’ électroluminescence . Ce phénomène d’électroluminescence doit être attribué à la recombinaison radiative des porteurs de charge excédentaires injectés au voisinage, par exemple, d’une jonction P‐N. L’énergie libérée sous forme de rayonnement est égale à la différence entre celle de l’état ionisé appelé paire électron-trou et celle de l’état lié (électron et trou recombinés).

Deux conditions doivent être réalisées pour qu’il y ait émission de lumière : il faut que, d’une part, la probabilité de transition radiative soit élevée, et que, d’autre part, il y ait une grande densité de porteurs...