Diodes et transistors bipolaires discrets

   1 Rappels sur les semiconducteurs

   1.1 Différents types (intrinsèque, de type N, de type P)

   1.2 Courants électroniques (de conduction, de diffusion, total)

   1.3 Recombinaison. Génération. Durée de vie

   2 Diodes

   2.1 Jonction PN

   2.11 Description

   2.12 Jonction PN non polarisée

   2.13 Jonction polarisée en direct

   2.14 Jonction polarisée en inverse

   2.2 Caractéristique dynamique

   2.3 Structure des diodes

   2.4 Tension de claquage

   2.5 Familles de diodes. Applications

   3 Transistors

   3.01 Étude élémentaire

   3.011 Structures

   3.012 Effet transistor

   3.013 Courants dans le transistor en fonctionnement normal

   3.014 Gain en courant

   3.02 Modèle idéal

   3.021 Hypothèses

   3.022 Modes de fonctionnement

   3.023 Diagramme des concentrations

   3.024 Expression des courants

   3.025 Relations fondamentales

   3.026 Schémas équivalents statiques forts signaux

   3.027 Efficacité d'injection de l'émetteur et du collecteur en fonctiondes paramètres physiques du transistor

   3.028 Schéma équivalent dynamique forts signaux

   3.03 Modèle comprenant les phénomènes secondaires

   3.031 Effet Early

   3.032 Variation du gain avec le courant

   3.033 Schéma équivalent

   3.034 Résistances parasites (de collecteur, de base, d'émetteur)

   3.035 Tensions de claquage

   3.036 Effet Kirk

   3.04 Modèle de Gummel-Poon

   3.05 Effet de la température

   3.06 Bruit

   3.07 Modèle SPICE

   3.08 Dissipation thermique

   3.09 Polarisation

   3.10 Montages fondamentaux (émetteur commun, collecteur commun,base commune)

   3.11 Familles de transistors. Applications

   3.12 Applications combinées avec des circuits intégrés

   Pour en savoir plus