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Mémoires à semiconducteurs| Réf : E2475 v1
Auteur(s) : Mohamed RAMDANI, Étienne SICARD, Sonia BENDHIA, Sébastien CALVET, Stéphane BAFFREAU, Jean-Luc LEVANT
Date de publication : 10 août 2004
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La modélisation de l’émission parasite d’un circuit intégré est une tâche d’autant plus délicate que le circuit est complexe et que ses composantes internes sont difficilement accessibles. Il est cependant possible de construire un modèle à base d’éléments simples (résistances, inductances, capacités, générateurs de courants) qui permettent une évaluation relativement précise des spectres tels qu’ils sont mesurés sur le composant.
Les objectifs du modèle d’émission sont de reproduire par simulation les composantes énergétiques en fonction de la fréquence, en mode conduit selon la norme IEC 61967-4 (1 Ω en série sur l’alimentation) et en mode rayonné selon la norme IEC 61967-2 (cellule TEM).
Nous nous intéressons à ces deux méthodes de mesure plus particulièrement, car elles couvrent à elles seules l’essentiel des demandes des équipementiers. D’autres méthodes de mesure existent et seront décrites dans la suite de cet article. Toutefois, elles ne seront pas étudiées d’un point de vue modélisation.
La modélisation de l’émission conduite concerne principalement la prédiction de l’énergie parasite injectée par le circuit intégré dans les alimentations. La mesure IEC 61967-4 consiste à récupérer une partie de l’énergie aux bornes d’une résistance de 1 Ω. On obtient une image du courant au moyen d’un oscilloscope ou d’un analyseur de spectre. La concordance temps/fréquence de ces deux mesures est en général très bonne. On peut donc s’intéresser soit au domaine temporel, soit au domaine fréquentiel, bien que ce dernier soit en général beaucoup plus riche en information et commode à exploiter. Un exemple de spectre mesuré sur un composant programmable de type microcontrôleur 16 bits est reporté sur la figure 3.
la correspondance entre dBµV et V ainsi qu’entre P et PdBm est rappelée dans l’encadré.
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(1) - PFAFF (W.R.) - Application independent evaluation of electromagnetic emission for Ics by the measurement of conducted signal. - Proceedings of the IEEE International Symposium on EMC, p. 219-224 (1998).
(2) - FIORI (F.), PIGNARI (S.) - Analysis of a test set-up for the characterization of IC electromagnetic emission. - Proceedings of the IEEE EMC Symposium, p. 375-378 (2000).
(3) - MUCCIOLI (J.P.), NORTH (T.), SLATTERY (K.) - Investigations of the theoretical basis for using a 1 GHz TEM cell to evaluate the radiated emissions from integrated circuits. - In Proceedings of the IEEE international Symposium on Electromagnetic Compatibility, p. 63-67 (1996).
(4) - MUCCIOLI (J.P.), NORTH (T.), SLATTERY (K.) - Characterization of the RF emissions from a family of microprocessors using a 1 GHz TEM cell. - In Proceedings of the IEEE EMC Symposium, Austin (1997).
(5) - * - International Electro-technical Commission IEC 61967 : Integrated Circuits, Measurements of Conducted and Radiated Electromagnetic Emission, IEC standard (1999).
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2 - MODÉLISATION DE L’ÉMISSION PARASITE
2.1 - Courant élémentaire
2.2 - Capacité de découplage du circuit intégré
2.3 - Résonance élémentaire
3 - ÉTAT D’AVANCEMENT DES TRAVAUX DES COMITÉS NORMATIFS
4 - ORIGINES DES ÉMISSIONS PARASITES DES CIRCUITS INTÉGRÉS
4.1 - Origine des perturbations
4.2 - Mécanismes d’émission
5 - MÉTHODES DE MESURE CEM DES CIRCUITS INTÉGRÉS
5.1 - Mesure de un ohm
5.2 - Mesure TEM
5.3 - Mesure GTEM
5.4 - Mesure par sonde
6 - VERS UN MODÈLE DES CIRCUITS INTÉGRÉS : ICEM
6.1 - Modèles existants : IBIS et IMIC
6.2 - Description du modèle d’émission ICEM
7 - SUSCEPTIBILITÉ DES CIRCUITS INTÉGRÉS
7.1 - Origine
7.2 - Méthodes de mesure
7.3 - Caractérisation d’un microcontrôleur
7.4 - Approche des logiciels défensifs
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