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Article

1 - DÉVELOPPEMENT DES LASERS À L’ÉTAT SOLIDE

2 - PRINCIPALES MATRICES CRISTALLINES POUR L’ACCUEIL DES IONS ACTIFS

3 - DOPAGE PAR LES IONS DE TRANSITION

4 - DOPAGES PAR LES IONS TERRES RARES

5 - CONCLUSION

| Réf : AF3276 v1

Principales matrices cristallines pour l’accueil des ions actifs
Luminescence cristalline appliquée aux sources lasers

Auteur(s) : Georges BOULON

Date de publication : 10 janv. 2006

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RÉSUMÉ

Cet article présente la physique des matériaux luminescents inorganiques appliqués aux lasers (cristaux, verres, aujourd’hui céramiques transparentes) émettant dans le domaine de l’optique (ultraviolet, visible et proche infrarouge). Les raies d’émission sont soit des raies fines surtout avec les ions de terres rares pour les sources lasers à longueurs d’ondes fixes, soit des bandes larges avec les ions de transitions pour les lasers à longueurs d’ondes accordables. On décrit les tendances de l’évolution de ces sources lasers dites «tout solide» continues ou à impulsions (ns-ps-fs), pompées par des diodes lasers de puissance.

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ABSTRACT

Crystalline Luminescence Applied to Laser Sources

This article presents the fundamental physics of solid-state laser-type materials (crystals, glasses, and now transparent ceramics) giving rise to emission within the optical spectral range (ultraviolet, visible, near infrared). The emission lines are either sharp, mainly with rare earth ions for one-wavelength laser sources, or broad bands with metal transition ions for tunable laser sources. We describe the trends in solid-state CW or pulsed (ns-ps-fs) laser sources, with increasing use of high power pump diodes.

Auteur(s)

  • Georges BOULON : Professeur des UniversitésLaboratoire de Physico-Chimie des Matériaux luminescents Université Claude Bernard Lyon 1 - Unité Mixte de Recherche CNRS 5620

INTRODUCTION

Ce dossier sur la luminescence cristalline appliquée aux sources lasers est l’un des quatre dossiers relatifs à la présentation générale des sources lasers à l’état solide qui inclut également la physique du laser [AF 3 275], les cristaux et l’optique non linéaire [AF 3 278] et la génération des impulsions laser jusqu’aux ultra-brèves à l’échelle de la femtoseconde [AF 3 277]. Le principal objectif est de décrire la physique des matériaux luminescents émettant dans le domaine de l’optique (ultraviolet, visible et proche infrarouge) sous la forme de raies fines surtout avec les ions de terres rares pour les lasers à longueurs d’ondes fixes, ou sous la forme de bandes larges pour les lasers à longueurs d’ondes accordables essentiellement avec les ions de transitions. De nombreux exemples de cristaux laser illustrent cet article avec leurs caractérisations spectroscopiques justifiant les domaines spectraux d’utilisation des sources laser. Les sources recherchées sont plutôt compactes soit continues, soit à impulsions avec une utilisation accrue des pompages par des diodes lasers dans le proche infrarouge.

Les références [1] à [12] sont relatives à la bibliographie générale des ouvrages et articles sur le sujet des matériaux lasers.

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KEYWORDS

solid-state laser inorganic materials   |   transparent ceramics   |   pulsed lasers   |   tuneable lasers   |   high power diode

VERSIONS

Il existe d'autres versions de cet article :

DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-af3276


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2. Principales matrices cristallines pour l’accueil des ions actifs

Les possibilités sont limitées par la substitution entre cations du réseau et ions activateurs qui doivent avoir de préférence même charge et même rayons d’ions, ainsi que par la cristallogénèse du monocristal laser. De plus, ces matériaux ne doivent pas seulement remplir les conditions imposées par les propriétés optiques adaptées aux lasers, à savoir, large fenêtre de transparence entre l’absorption fondamentale dans l’UV liée à la largeur de la bande interdite (gap) et à l’absorption des groupements moléculaires constitutifs des réseaux dans l’infrarouge. Il est préférable que le dopage apporte des bandes d’absorption et d’émission définies par des niveaux d’énergie localisées dans la bande interdite, plutôt dans le visible et le proche infrarouge, qui ne soient donc pas absorbés par les réseaux eux-mêmes et qui, en outre, ne favorisent pas l’absorption entre les états excités conduisant à la délocalisation de l’énergie dans la bande de conduction (figure 2). Actuellement, on connaît des émissions lasers entre l’UV et 5 150 nm (5,15 µm) de cristaux dopés, comme le montre la figure 3.

Les matrices hôtes doivent également présenter d’excellentes qualités mécaniques et thermiques en vue de leur pompage par des flux intenses. Il n’est donc pas étonnant de retrouver les cristaux de joaillerie sous leur forme synthétique comme le rubis Al2O3 : Cr3+, l’émeraude Be3Al2(SiO3)6 : Cr3+, l’alexandrite BeAl2O4 : Cr3+, les spinelles dopés Cr3+, les grenats dopés Cr3+, le fameux Y3Al5O12 dopé Nd3+ et le saphir dopé Ti3+. Sur la figure 4, on observe...

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