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1 - ORIGINE QUANTIQUE DU MAGNÉTISME

2 - FERROMAGNÉTISME DE NANOSTRUCTURES

3 - APPLICATIONS DES FERROMAGNÉTIQUES

4 - UTILISATION DES FERROMAGNÉTIQUES POUR LA SPINTRONIQUE

5 - CONCLUSION

6 - GLOSSAIRE

7 - SYMBOLES

Article de référence | Réf : E1730 v3

Ferromagnétisme à l’échelle nanométrique

Auteur(s) : Hélène BEA, Liliana D. BUDA-PREJBEANU

Relu et validé le 23 oct. 2020

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RÉSUMÉ

Les matériaux magnétiques ont par le passé révolutionné le stockage de l’information par l’intermédiaire des disques durs magnétiques. L’intérêt pour les matériaux magnétiques continue de croître, notamment à cause de la miniaturisation des dispositifs et de la quête des composants non volatils, robustes, compacts et économes en énergie. Dans cet article, les concepts de base des matériaux magnétiques sont passés en revue, de l’état massif aux nanostructures. Les propriétés statiques et dynamiques sont dressées, les mécanismes non conventionnels pour manipuler l’aimantation, tels que l’application d’un fort courant, sont explicités et le potentiel applicatif est indiqué.

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Auteur(s)

  • Hélène BEA : Enseignante-chercheuse - Université Grenoble Alpes, CEA, CNRS, - Grenoble INP (Institute of Engineering Univ. Grenoble Alpes), INAC-SPINTEC, - Grenoble, France

  • Liliana D. BUDA-PREJBEANU : Enseignante-chercheuse - Université Grenoble Alpes, CEA, CNRS, - Grenoble INP (Institute of Engineering Univ. Grenoble Alpes), INAC-SPINTEC, - Grenoble, France

INTRODUCTION

Les matériaux magnétiques suscitent depuis longtemps un fort intérêt de par leurs multiples applications. À l’origine, les matériaux ferromagnétiques ont été utilisés principalement en électrotechnique en tant que source de champ magnétique ou comme élément de base des machines et dispositifs électriques (transformateurs, moteurs, composants inductifs pour l’électronique). Cependant, la conception de disques durs magnétiques a révolutionné le monde du stockage des données et orienté la recherche vers des systèmes magnétiques de plus en plus petits. Les propriétés des matériaux magnétiques sont intimement liées à leur taille. Les effets dus aux phénomènes d’interface et à l’association de divers matériaux permettent de modifier de manière importante le comportement magnétique de nanostructures.

Cet article insiste sur le rôle du confinement latéral et des interfaces avec d’autres matériaux sur les propriétés des systèmes ferromagnétiques. Il présente également leurs exploitations dans diverses applications allant de la technologie de l’information aux biotechnologies. La nanostructuration a permis également la mise en évidence de l’interaction mutuelle entre l’aimantation et le spin des électrons de conduction. Cette interaction est la base des phénomènes dits spintroniques qui ont rendu possible le contrôle de l’aimantation autrement que par l’intermédiaire d’un champ magnétique. Diverses manières non conventionnelles de manipuler l’aimantation sont présentées en s’appuyant sur l’équation de mouvement de l’aimantation.

Le lecteur trouvera en fin d'article un glossaire et un tableau des symboles utilisés.

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VERSIONS

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v3-e1730


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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - DU TREMOLET DE LACHEISSERIE (E.) -   Magnétisme-Fondements.  -  EDP Sciences (1999).

  • (2) - OHNO (H.) -   Making Semiconductors Ferromagnetic.  -  Science, 281, p 951 (1998).

  • (3) - JUNGWIRTH (T.), SINOVA (J.), MAŠEK (J.), KUČERA (J.), MACDONALD (A.H.) -   Theory of ferromagnetic (III, Mn)V semiconductors.  -  Rev. Mod. Phys. 78, 809 (2006).

  • (4) - GRADMANN (U.) -   Magnetism in ultrathin transition metal films.  -  in K.H.J.Buschow (Ed.), Handbook of magnetic materials, vol 7, Elsevier Science Publishers B.V., North Holland, Ch1, pp 1-96 (1993).

  • (5) - THIAVILLE (A.), ROHART (S.), JUÉ (E.), CROS (V.), FERT (A.) -   Dynamics of Dzyaloshinskii domain walls in ultrathin magnetic films Europhys.  -  Lett. 100, 57 002 (2012).

  • (6) - AHARONI (A.) -   Introduction...

1 Événements

Journée de la Matière Condensée, Grenoble, 27-31 Août 2018

( https://jmc2018.sciencesconf.org)

Colloque Louis Néel, 14-17 Mai 2019, Toulouse

( https://www.sciencesconf.org/browse/conference/?confid=5388)

HAUT DE PAGE

2 Brevets

Plus de 4 500 brevets existent sur les MRAMs, en voici quelques exemples :

  • High speed magneto-resistive random access memory, J.C. Wu, H.L. Stadler, R.R. Katti, US5173873 (1992) ;

  • Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure, J.P. Nozières, I.L.Prejbeanu, TW200937415 (2009) ;

  • Magnetic memory device, C. Heide, US6639830 (2003) ;

  • Self-referenced Memory device and method for operating the memory device, S. Bandiera, US2016232958 (2016) Magnetic racetrack memory device, J.P. Moriya, S. Parkin, L. Thomas, US7626844, (2011) ;

  • Non-volatile magnetic memory cell and devices, A. Gupta, R.V. Rajiv, US6034887 (2000).

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Entraînez vous autant que vous le voulez avec les quiz d'entraînement.

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Lorsque vous êtes prêt, vous passez le test de validation. Vous avez deux passages possibles dans un laps de temps de 30 jours.

Entre les deux essais, vous pouvez consulter l’article et réutiliser les quiz d'entraînement pour progresser. L’attestation vous est délivrée pour un score minimum de 70 %.


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