1 - COUCHES MINCES ET NANOSTRUCTURES POUR L’ÉLECTRONIQUE DE SPIN

• 1.1 - Configurations d’équilibre des nanoéléments spintroniques ferromagnétiques
• 1.2 - Axe facile des nanoéléments spintroniques
• 1.3 - Dynamique de l’aimantation sous champ
• 1.4 - Couplages intercouches
• 1.5 - Utilisation du couplage pour améliorer la réponse magnétique des dispositifs

2 - MAGNÉTORÉSISTANCES ET TRANSPORT POLARISÉ EN SPIN

• 2.1 - Modèle à deux courants
  Figure 1 - Représentation du nombre d’états accessibles dans un métal ferromagnétique en fonction de l’énergie (la densité d’états D(E)) pour les deux directions de spin
• 2.2 - Magnétorésistance géante
  Figure 2 - Mécanisme de conduction dans une multicouche magnétique à MRG Figure 3 - Représentation schématique de la magnétorésistance géante pour une tricouche à aimantation planaire
• 2.3 - Effet tunnel dépendant du spin
  Figure 4 - Schéma des densités d’états dans les deux configurations magnétiques (bandes d dans le modèle de bandes paraboliques) : courants tunnels pour les deux directions de spin

3 - COUPLE DE TRANSFERT DE SPIN

4 - EFFETS SPIN-ORBITE

• 4.1 - Conversion courant de charge/courant de spin
  Figure 6 - Comparaison de l'effet Hall ordinaire et de l'effet Hall de spin
• 4.2 - Couples spin-orbite
  Figure 7 - Principe des couples spin-orbite

5 - CAPTEURS SPINTRONIQUES

• 5.1 - Capteurs de champ magnétique
• 5.2 - Capteurs à effet Hall extraordinaire
  Figure 8 - Comparaison de l'effet Hall de spin et de l’effet Hall extraordinaire Figure 9 - Mesure de champ par effet Hall extraordinaire dans une croix de Hall
• 5.3 - Capteurs à magnétorésistance anisotrope
• 5.4 - Capteurs à magnétorésistance géante et tunnel
  Figure 10 - Principe de fonctionnement d’un capteur de rotation

6 - MÉMOIRES SPINTRONIQUES

• 6.1 - Field MRAM et toggle MRAM
  Figure 11 - Principe de la field MRAM
• 6.2 - Anisotropie et limite superparamagnétique
• 6.3 - STT MRAM
  Figure 12 - Principe d’écriture de la MRAM Figure 13 - Exemple d’empilement complexe pour STT-MRAM à aimantation perpendiculaire, à deux barrières tunnel
• 6.4 - SOT MRAM
  Figure 14 - Principe de fonctionnement de la SOT MRAM
• 6.5 - DW MRAM
  Figure 15 - Principe d’écriture de la DW MRAM

7 - DISPOSITIFS SPINTRONIQUES ÉMERGENTS

• 7.1 - Oscillateurs à transfert de spin
• 7.2 - Dispositifs magnoniques
• 7.3 - Registre à décalage à propagation de parois

8 - CONCLUSION

9 - GLOSSAIRE

10 - SIGLES