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Transistor MOS et sa technologie de fabrication

Article de référence | Réf : E2432 v2

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De nouvelles générations CMOS
Circuits intégrés CMOS sur silicium

Auteur(s) : Alexandre VALENTIAN

Date de publication : 10 sept. 2019

Relu et validé le 02 avr. 2021

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1. De nouvelles générations CMOS

La technologie CMOS a progressé de manière spectaculaire depuis les années 80 où elle est devenue la technologie dominante des circuits intégrés. Comme le montre la figure 1, de nouvelles générations, appelées nœuds technologiques, sont apparues régulièrement. Ces nœuds ont d’abord été définis en fonction de la longueur du canal des transistors, alors que les derniers l'ont plutôt été en fonction de critères de marketing. Passer d’un nœud au suivant a deux effets essentiels :

diminution du temps de propagation des portes logiques, ce qui permet d’augmenter les fréquences de fonctionnement ;
augmentation du nombre de transistors par unité de surface.

Ces nouveaux nœuds ont permis l’évolution des architectures des processeurs [H 1 058] et les développements des systèmes embarqués, enfouis et mobiles [H 8 000].

Les conditions économiques se sont également montrées favorables entraînant une modification des conditions de fabrication des semi-conducteurs. Depuis les années 2000, le marché des semi-conducteurs a plus que doublé, atteignant plus de 460 milliards de dollars. Cette augmentation très importante s’est accompagnée d’une hausse de la productivité, par l’adoption du modèle des fonderies. Dans ce modèle, la conception et la fabrication d’un circuit sont réalisés par deux acteurs différents : d’un côté, les sociétés dites fabless, c’est-à-dire sans usine (centre de conception, design house, startup…) ; de l’autre, les fonderies pures,...

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BIBLIOGRAPHIE

(1) - HIPEAC - * - . – Hipeac Vision (2017).
(2) - GARGINI (P.) - The Roadmap to Success : ITRS Update. - http://www.ewh.ieee.org/r6/scv/eds/slides/2014-Mar-11-Paolo.pdf (2013).
(3) - SMITH (K.C.), DANCILA (M.), DANCILA (D.), SEDRA (A.S.) - Circuits microélectroniques. - De Boeck Université, ISBN-13 : 978-2804177775 (2016).
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(6) - SALEMI (S.) - Physics-of-Failure Based Handbook of Microelectronic Systems. - Reliability Information Analysis Center, ISBN-13 : 978-1933904290 (2008).
...

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