# Electronique de puissance

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Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles [...]

La rédaction vous propose un rapide tour d'horizon sur les informations qui feront l'actualité industrielle dans les jours et les semaines à venir.