L’échelle de tension faible permet l’utilisation de technologies intégrées de semi-conducteur d’une part et ouvre la possibilité de solutions avancées en termes de contrôle en boucle fermée. Il est nécessaire de « réguler » la tension de sortie du convertisseur face aux perturbations induites par les variations dynamiques de la charge ou de la tension d’entrée : on parle de « régulateur de tension ». Il existe de nombreuses approches de contrôle en boucle fermée. Un précédent article décrit les principes basés sur la modulation par largeur d’impulsion à fréquence fixe à partir de la mesure de tension. Les performances dynamiques d’une telle approche sont limitées et la stratégie d’approche en courant ouvre à de meilleurs résultats. Une implémentation non linéaire est appelée le mode glissant en courant. C’est l’objet de cet article.
Cet article décrit les caractéristiques électriques des principaux composants à semi-conducteur de puissance en lien avec les grandeurs électriques de commande. Il montre ainsi quels peuvent être les effets des caractéristiques du circuit de commande rapprochée sur les performances en conduction et en commutation des composants à semi-conducteur de puissance. Trois grandes familles de composants sont concernées : les thyristors et triacs qui se commandent principalement par l’injection d’un pic de courant de faible intensité et dont le blocage spontané peut être parfois amélioré par la commande ; les transistors à jonction bipolaire (BJT) et les thyristors ouvrables par la gâchette (GTO) qui nécessitent une commande en courant durant la phase de conduction et une extraction intense au blocage ; et enfin les composants à grille et entrée capacitive (MOSFET, IGBT et HEMT) dont les états de conduction sont déterminés par des niveaux de tension mais qui peuvent nécessiter des courants transitoires importants pour permettre des commutations rapides. L’article présente également les spécificités vis-à-vis de leur commande rapprochée des composants grand gap, disponibles aujourd’hui dans le commerce, à savoir les BJT et MOSFET SiC ainsi que les HEMT GaN.
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, thermique et en puissance hyperfréquence. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.
Votre système documentaire devient lourd, sa gestion fastidieuse. Vous souhaitez mettre en place un dispositif permettant d’améliorer la gestion, le classement, l’organisation, la sauvegarde et le partage des documents essentiels.
La gestion électronique des documents (GED) permet tout cela, mais sa mise en œuvre ne se fait pas sans évolution des pratiques. Il s’agit d’un projet d’envergure pour l’entreprise qui doit être mené méthodiquement et avec le concours de tous.
Cette fiche vous précise comment mettre en place cette gestion électronique des documents dans votre entreprise.
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En partant d’un exemple concret – comment identifier des informations sur les propriétés, les essais, la finition et le recyclage des polymères –, nous présenterons dans cette fiche les différents opérateurs de Google susceptibles de vous aider à tirer parti de toutes ses fonctions avancées.
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Toutes les clefs pour maitriser la veille technologique
Votre entreprise utilise la technologie d’assemblage par haute fréquence (HF). Vous avez choisi une nouvelle technologie d’assemblage par soudure haute fréquence (HF).
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Cette fiche avec la fiche 1014 vous permet d’aller dans le détail des aspects techniques de la technologie de la soudure des thermoplastiques par HF.
Vous serez guidé dans votre travail quotidien en production d’articles soudés par haute fréquence.
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