Cet article traite de l’utilisation du transformateur piézoélectrique (TP) dans les convertisseurs électroniques de petite puissance, 0,1 à 10 W. Sa topologie monolithique planaire simple - disques ou barreaux - permet la réalisation de convertisseurs de faible encombrement, peu coûteux et bien adaptés aux applications embarquées. La conversion d’énergie électrique s’opère par double conversion, électrique-mécanique puis mécanique-électrique, basée sur la création d’une onde stationnaire ou progressive au sein du matériau piézoélectrique. L’article aborde le principe de fonctionnement, la modélisation puis la mise en œuvre pour réaliser divers types de conversion DC-DC ou DC-AC. Le fonctionnement électrique, les performances et les limitations des structures proposées sont analysés.
Dans cet article sont présentés les aspects contrôle des différentes technologies de compensateurs statiques industriels de puissance réactive de charges fluctuantes. Sont considérés les compensateurs statiques à base de thyristors les « statocompensateurs » ainsi que les compensateurs statiques à base de convertisseurs à circuit intermédiaire de tension continue à base de composants blocables comme les IGBT et appelés plus communément « STATCOM ». Des parties communes peuvent être déduites mais chaque technologie ayant ses particularités, les contrôles des solutions à thyristors sera bien distinctes des solutions à IGBT. Enfin la révolution « MMC » permet d’envisager des alimentations directes de ces charges fluctuantes, permettant un rééquilibrage et un lissage de ces charges vis-à-vis du réseau.
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime hyperfréquence, caractérisation en puissance et caractérisation thermique. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.
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