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Domaine d’utilisation des ondes EM qui se réfère à la gamme de fréquences située entre 300 MHz et 300 GHz dans le spectre EM.
Les structures de guidage HF connectent les composants d'un système ou apportent la puissance nécessaire. Des techniques de calcul ont été développées pour les concevoir et pour obtenir les meilleures performances. Cependant, leur mise en œuvre dépend de l'application et de la fréquence d'opération. Dans cet article, divers procédés en technologies planaires et multicouches sont présentés. Ensuite, le concept de matrice de répartition d'un dispositif utilisé en conception assistée par ordinateur est abordé. Puis, les performances comme l'atténuation et la tenue en puissance de plusieurs structures de guidage sont discutées. Enfin, quelques applications et perspectives sont présentées.
L’objectif de cet article est de proposer une méthode pour réaliser les choix de conception d’un amplificateur à partir des spécifications (puissance, bande de fréquence, linéarité) et des applications (communications, RADAR, contre-mesures, autodirecteur…) Les performances permettent de déterminer la technologie (état solide ou tube hyperfréquence), selon les applications certaines sont déterminantes dans le choix de l’architecture. Enfin, sur la base d’une même spécification trois architectures différentes sont étudiées et comparées.
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime hyperfréquence, caractérisation en puissance et caractérisation thermique. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.
