- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2024
|- Réf : E1996
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime h...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 juin 2012
|- Réf : M1228
nitruration... aciers de nitruration et aciers nitrurables... Cet article est consacré à l’identification des alliages habituellement nitrurés ou nitrocarburés... 683-5 de juin 2021 : Aciers pour nitruration - Conditions techniques de livraison. Pour en savoir plus...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2011
|- Réf : M2369
qui utilise comme substrats l’arséniure et le nitrure de gallium. Plus récemment, le gallium a été retenu... en électricité (panneaux solaires). Il est aussi utilisé dans les circuits intégrés ; le nitrure de gallium... , alliages à bas point de fusion). 1970 : utilisation du nitrure de gallium (GaN) dans les diodes... de la lumière en courant électrique. 2004 : utilisation du nitrure de gallium et d’aluminium (AlGa...
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