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RÉSUMÉ
Inventés dans les années 1960, les lasers à semi-conducteurs ont aujourd’hui atteint un niveau de maturité technologique garantissant leur omniprésence dans de nombreux secteurs d’applications. Si les communications par fibre ont d’abord été le moteur principal de leur développement, d’autres applications comme la lecture et le stockage de l’information sur disque optique ou le pompage optique de laser de puissance ont pris le relais. Ces lasers bénéficient encore des résultats de recherches et développements importants améliorant les performances, créant de nouvelles fonctionnalités ou ouvrant encore de nouvelles applications.
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Stéphane TREBAOL : Maître de conférences, - Université de Rennes, CNRS, Institut FOTON – UMR 6082, Lannion, France
INTRODUCTION
Depuis leur invention dans les années 1960, les lasers ont révolutionné de nombreux domaines scientifiques et technologiques, devenant des outils incontournables de la photonique moderne. Parmi la grande diversité de sources laser disponibles aujourd'hui (lasers à gaz, lasers solides, lasers à fibre, etc.), les diodes laser constituent une solution de choix qui s'est imposée dans un nombre croissant d'applications. Le principe de fonctionnement des diodes laser repose sur l'émission stimulée de photons au sein d'une jonction P-N de matériaux semi-conducteur. Cette architecture relativement simple est à l'origine d'un ensemble de caractéristiques remarquables, qui distinguent ces composants des autres technologies laser.
Les diodes laser présentent tout d'abord un format extrêmement compact (typiquement quelques millimètres cubes) associé à une efficacité quantique externe exceptionnelle, dépassant régulièrement 50 % et atteignant même 70 % pour les dispositifs les plus performants. Cette efficacité de conversion de l'énergie électrique en rayonnement cohérent est difficilement égalable par d'autres types de lasers. L'un de leurs atouts majeurs réside dans leur versatilité spectrale. Grâce à un choix judicieux des matériaux semi-conducteurs (GaN, GaAs, InP, GaSb, etc.) et à une ingénierie de structure contrôlée à l'échelle de la monocouche atomique (puits quantiques, boîtes quantiques), il est possible de couvrir une gamme de longueurs d'onde s'étendant de l'ultraviolet proche jusqu'au lointain infrarouge, avec la possibilité d'adresser de nouvelles fenêtres spectrales par le développement de nouveaux matériaux. Sur le plan des performances en puissance, la maturité technologique de certaines filières (notamment InGaAs autour de 1 µm) permet aujourd'hui d'atteindre des puissances optiques allant du watt, pour les dispositifs monomodes, jusqu'au kilowatt pour les systèmes à barres de diodes. Par ailleurs, les procédés de fabrication sur substrat semi-conducteur, hérités de la microélectronique, offrent la possibilité de produire ces composants en grande série, ce qui contribue significativement à la réduction des coûts de production et explique leur accessibilité croissante.
Cette combinaison unique d'avantages – compacité, efficacité, accordabilité spectrale, montée en puissance et faible coût – explique l’omniprésence des diodes laser dans de nombreux secteurs d'application. On les retrouve massivement dans les télécommunications optiques, les applications industrielles (découpe, soudage, marquage, traitement de surface), les systèmes de détection et télémétrie (capteurs lidar pour véhicules autonomes, cartographie 3D), ou encore le domaine médical (chirurgie ophtalmique, dermatologie, diagnostic).
Au-delà de ces dispositifs commerciaux bien établis, l'activité de recherche demeure particulièrement dynamique. De nombreuses équipes académiques et industrielles travaillent activement à l'amélioration continue des performances de ces composants : augmentation de la puissance, élargissement de la gamme spectrale (notamment vers l'ultraviolet profond et l'infrarouge lointain) ou encore réduction de la largeur spectrale. Ces efforts ouvrent la voie à de nouveaux domaines d'applications émergents, notamment dans l'accompagnement du développement des technologies quantiques.
VERSIONS
- Version archivée 1 de août 2007 par Jean-Claude BOULEY
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4. Glossaire
Bande interdite ; gap
La plage d'énergies dans laquelle aucun état électronique ne peut exister dans un solide cristallin. C'est l'intervalle énergétique qui sépare la bande de valence de la bande de conduction.
Cavité optique ; optical cavity
Système constitué de deux ou plusieurs miroirs disposés de manière à confiner et faire résonner la lumière entre eux par réflexions multiples.
Diode laser ; laser diode
C'est une diode à jonction P-N qui, lorsqu'elle est parcourue par un courant électrique suffisant, produit une émission stimulée de photons dans une cavité résonante, générant ainsi un faisceau lumineux amplifié, directionnel et de longueur d'onde précise.
Facteur d’inversion de population ; population inversion factor
Il dépend des propriétés du matériau à gain. Il permet d’évaluer le degré d’inversion des niveaux associés à la transition laser. Sa valeur tend vers 1 lorsque le système s’approche d’une inversion de population complète.
Laser ; laser (Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)
Source de lumière basée sur l'amplification de la lumière par émission stimulée de rayonnement dans une cavité optique résonante.
Paramètre de maille ; Lattice constant
Distance interatomique caractéristique du réseau cristallin d'un matériau semi-conducteur, qui doit être compatible avec celle du substrat ou de la couche sous-jacente pour permettre une croissance épitaxiale de qualité.
Porteurs de charge ; charge carrier
Particules mobiles dans un matériau qui permettent le transport du courant électrique. Dans les semi-conducteurs, il existe deux types de porteurs de charge : les électrons (charge négative) et les trous (charge positive).
Puits quantique ; quantum well
Matériau artificiel à structure nanométrique où des porteurs de charge (électrons ou trous) sont confinés dans une direction de l'espace, créant des niveaux d'énergie discrets et quantifiés.
Rendement quantique ; quantum efficiency
Il correspond au nombre de photons émis par électron injecté dans la zone active, indiquant directement l’efficacité de conversion électricité-lumière.
Transitions intersousbandes ;...
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BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - COLDREN (L.) - Photonic Integrated Circuits. - Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, John Wiley & Sons, Ltd (2012).
-
(2) - NUMAI (T.) - Fundamentals of Semiconductor Lasers. - Springer Japan vol. 93 (2015).
-
(3) - BORCHERT (B.), DAVID (K.), STEGMULLER (B.), GESSNER (R.), BESCHORNER (M.), SACHER (D.), FRANZ (G.) - 1,55 μm gain-coupled quantum-well distributed feedback lasers with high single-mode yield and narrow linewidth. - IEEE Photonics Technology Letters, vol. 3, p. 955-957 (1991).
-
(4) - GRILLOT (F.), DUAN (J.), DONG (B.), HUANG (H.) - Uncovering recent progress in nanostructured light-emitters for information and communication technologies. - Light : Science & Applications, Nature Publishing Group, vol. 10, p. 156 (2021).
-
(5) - HENRY (C.) - Theory of the linewidth of semiconductor lasers. - IEEE Journal of Quantum Electronics, vol. 18, p. 259-264 (1982).
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DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
ANNEXES
International Semiconductor Laser Conference (ISLC) : tous les deux ans, conférence dédiée aux derniers développements dans le domaine des lasers, amplificateurs et diodes électroluminescentes à base de semi-conducteurs.
Conference on Lasers and Electro-Optics (CLEO) : tous les ans, en alternance entre Charlotte (USA) et Munich (Allemagne), cette conférence expose des progrès majeurs dans les domaines de la physique des lasers, de l'ingénierie optique, des technologies laser, de l'optique non linéaire et des technologies quantiques.
Photonics West (PW) : tous les ans, à San Francisco, cette conférence aborde les thématiques de recherche en lien avec les lasers, l’optique biomédicale, l’optoélectronique, et les technologies supportant les applications en biophotonique, en technologies quantiques et en vision.
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