La récente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est le prolongement naturel du SOI pour réaliser des circuits intégrés à forte densité, haute fréquence et basse consommation. En raison de leurs dimensions nanométriques, aussi bien en épaisseur qu’en longueur, les transistors FD-SOI présentent des mécanismes de fonctionnement et des caractéristiques très spécifiques. L’état de l’art du FD-SOI est décrit en insistant sur les atouts des composants, les effets physiques particuliers et les techniques de caractérisations dédiées. Des exemples de dispositifs innovants conçus en filière FD-SOI sont discutés.
Cet article traite de l’état de l’art et des perspectives des dispositifs FDSOI (Fully Depleted Silicon On Insulator). Les avantages de ces technologies pour les applications « More Moore » sont rappelés, avant d’exposer leurs propriétés électriques, ainsi que les principales solutions pour leur amélioration. L’évolution de ces technologies vers de nouvelles architectures multigrilles et 3D, qui sont non seulement complètement désertées mais aussi totalement inversées, pour les composants les plus intégrés est ensuite mise en exergue. Les technologies émergentes, basées sur d’autres types de transport des porteurs, des matériaux innovants et des structures hybrides sont également détaillées.
Cet article traite de la technologie photonique intégrée sur silicium appliquée aux composants pour les réseaux à fibres optiques. Une revue des technologies présente l’attractivité de la photonique silicium avec le niveau d’intégration visé de quelques cm² pour transmetteurs/récepteurs de plus 100 Gbit/s. La réalisation de ces circuits photoniques est détaillée avec les données de fabrication micro-technologiques et l’environnement de conception numérique, jusqu’à la librairie de composants typiques disponibles avec leur niveau de performance. Une méthode démontrée d’intégration d’une source laser est présentée. L’article se conclut par l’application à la conception des modules pour les communications optiques.
L’arrêté du 2 février 1998, ou plus souvent appelé « arrêté intégré » fixe le cadre général des dispositions techniques régissant les conditions d’exploitation et d’aménagement d’une installation classée relevant du régime de l’autorisation préfectorale. Il sert de base à la rédaction des arrêtés préfectoraux d’autorisation d’exploiter.
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