HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap Ga... des composants de type diode GaN et High Electron Mobility Transistors (HEMT) fonctionnant à haute fréquence... ’applications. Les principaux sont le GaGaAs et l’InP, et plus récemment les semiconducteurs dit « grand gap...
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Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de Ga... de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés... ’obtenir de meilleures performances dans des domaines spécifiques d’applications. Les principaux sont le GaGaAs et l’InP,... et plus récemment les semi-conducteurs dit grand gap, tels que le SiC et le GaN avec des gaps respectifs de 3,2 et 3...
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de leur utilisation. Les règles complémentaires des établissements du type GA régissent principalement... dans les établissements de type GA (gares accessibles au public). Ces règles concernent principalement... . La réglementation distingue les dispositions communes à tous les établissements de type GA (articles GA 1 à GA 13... ), de celles applicables aux établissements de type GA des quatre premières catégories (articles GA 14 à GA 48...
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