6. Transistors partiellement déplétés
Dans le cas des transistors MOS/SOI partiellement déplétés, la charge de déplétion contrôlée par une ou deux grilles ne s'étend pas d'une interface à l'autre. Une région neutre subsiste et, par conséquent, les effets de couplage d'interface sont supprimés. Quand la couche de silicium est à la masse (via des contacts indépendants sur le film de silicium ou des connexions directes source/film), les composants SOI partiellement déplétés se comportent de façon similaire à ceux fabriqués sur silicium massif. La plupart des équations I DS (V GS, V DS) et des concepts d'architecture conventionnels peuvent être appliqués. Si les contacts au film (body contacts) ne sont pas disponibles, des effets appelés de substrat flottant se produisent, entraînant plusieurs inconvénients majeurs qui sont expliqués ci-après.
6.1 Effet kink
Tout d'abord, l'absence de contact sur le film empêche le contrôle du potentiel dans la couche active de silicium (substrat électriquement flottant) et la récupération des porteurs libres induits par différents mécanismes (par exemple, porteurs créés par ionisation par impact sur les atomes du réseau cristallin). Cela conduit à l'effet kink. Lorsqu'un contact sur le film est disponible, son efficacité dépend de l'épaisseur du film de silicium et de l'architecture des composants qui déterminent les résistances d'accès ainsi que la barrière de potentiel entre la couche de silicium active et le contact.
L'effet kink est l'un des principaux effets de substrat flottant qui sont déclenchés par l'accumulation de charges produites par ionisation par impact dans le film de silicium. Il est identifiable, dans les MOSFET/SOI partiellement déplétés, par un excès de courant de drain I DS (V DS) et de bruit électrique en saturation . L'ionisation par impact dans la région de fort champ électrique...
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