) et à l'interface silicium/oxyde enterré (par l'intermédiaire du substrat qui agit comme une grille arrière
). L'expression « déplétion totale » signifie que la région de déplétion couvre la totalité de la couche de silicium lorsque la grille est polarisée en inversion. Par conséquent, la charge de déplétion est limitée et ne varie plus avec V GS car l'étendue de la zone de déplétion atteint l'interface opposée, à la différence des composants MOS réalisés sur silicium massif. Un meilleur couplage est donc obtenu entre la tension de grille et la charge d'inversion, conduisant en particulier à une augmentation du courant de drain.Cet article vous permet de préparer une certification CerT.I.
Le test de validation des connaissances pour obtenir cette certification de Techniques de l’Ingénieur est disponible dans le module CerT.I.
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