Bibliographie & annexes
Présentation
Auteur(s)
-
Dominique TOURNIER : Docteur en génie électrique - Maître de Conférences à l’INSA Lyon
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Lire l’articleINTRODUCTION
L’amélioration de la qualité du matériau de base et de la technologie de fabrication a permis le développement de nombreux composants de puissance en carbure de silicium, reflétant l’évolution de la maturité de cette nouvelle filière technologique au cours de ces dernières années. Cette évolution se traduit par les débouchés commerciaux actuels et futurs, tout comme le développement d’interrupteurs spécifiques pour la protection série des installations électriques.
Ce dossier présente les récents progrès et réalisations des composants de puissance en carbure de silicium, les points clés relatifs au matériau et à la technologie de fabrication, les potentialités et réalisations de ce matériau semi-conducteur dont l’utilisation permet d’ores et déjà de repousser les limites de la filière silicium.
Le dossier suivant [D 3 122] décrit des applications telles que la conversion d’énergie et la limitation de courant.
L'expertise technique et scientifique de référence
VERSIONS
- Version archivée 1 de mars 1989 par Christian GLAIZE
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Interrupteurs de puissance en SiC3. Technologies de fabrication des composants
Les différentes techniques et moyens de fabrication employés pour SiC sont similaires à ceux existants pour la filière silicium. Elles ont fait l’objet de développements et optimisations afin d’être adaptées aux spécificités du SiC.
3.1 Dopage par implantation ionique
Considérant la technologie de fabrication, un grand effort a été porté sur la réduction des dommages produits dans le cristal par l’implantation ionique d’une part et pour conserver l’intégrité de la surface après le processus de recuit post-implantation d’autre part.
En effet, l’impossibilité d’utiliser des techniques classiques de dopage par diffusion de dopants dans le SiC implique l’utilisation de procédés d’implantation ionique. Cette technique provoque des désordres structuraux dans les zones implantées et nécessite par conséquent une étape dite de « recuit post-implantation » pour l’activation des impuretés implantées. Différents travaux ont porté sur la modélisation de l’implantation ionique et l’optimisation du processus , ...
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Technologies de fabrication des composants
BIBLIOGRAPHIE
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(1) - ESAME (O.) et al - Performance comparison of state-of-the-art heterojunction bipolar devices (HBT) based on AlGaAs/GaAs, Si/SiGe and InGaAs/InP. - Microelectronics Journal 35, 901-908 (2004).
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(3) - * - http://compoundsemiconductor.net/articles/magazine/8/1/7/1.
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(5) - MOISSAN (H.) - Étude du Siliciure de carbone de la météorite de cañon Diablo. - Compte-Rendu des Séances de l’Académie des Sciences, Paris. vol. 140, p. 405-406 (1905).
-
(6) - ACHESON (E.G.) - Production of artificial crystalline carbonaceous materials. - ...
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