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Transformateurs HF à enroulements - Identification expérimentaleArticle de référence | Réf : D3057 v1
Auteur(s) : Matthieu NONGAILLARD
Date de publication : 10 févr. 2012
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2.1 Principales caractéristiques et structures
Les résistances (cf. [E 2 100]) sont des conducteurs qui suivent la loi d'Ohm décrite par l'équation (1) :
avec :
La chute de tension aux bornes du conducteur est donc proportionnelle au courant le traversant.
De la même manière que pour une résistance discrète, une résistance intégrée est caractérisée par une valeur de résistivité donnée en Ohm
et sa précision (en %), mais aussi par un coefficient de température, un coefficient de tension et une réponse en fréquence.
Le coefficient en température caractérise la modification de la valeur de résistivité du conducteur en fonction de la température du conducteur. En effet, le passage d'un courant dans une résistance va augmenter sa température en fonction de la mobilité des porteurs (et donc de la résistivité du matériau utilisé).
Le coefficient de tension prend en compte l'influence électrique des différents matériaux proches du composant susceptibles de modifier sa valeur.
La réponse en fréquence est un paramètre important pour les applications haute fréquence et dépend du couplage...
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CONVERSION DE L’ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
(1) - * - STMicroelectronics, \Ipad.
(2) - ROOZEBOOM (F.), ELFRINK (R.), VERHOEVEN (J.), Van den MEERAKKER (J.), HOLTHUYSEN (F.) - High-value MOS capacitor arrays in ultra deep trenches in silicon. - Microelectronic Engineering, vol. 53, p. 581-584 (2000).
(3) - ROOZEBOOM (F.), KLOOTWIJK (J.), DEKKERS (W.), LAMY (Y.), Van GRUNSVEN (E.), KIM (H.) - 3D passive and heterogeneous integration technology options for system-in-package. - Solid State Technology, vol. 51, p. 38-47 (2008).
(4) - ROOZEBOOM (F.), KEMMEREN (A.), VERHOEVEN (J.), Van den HEUVEL (F.), KLOOTWIJK (J.), KRETSCHMAN (H.), FRIC (T.), Van GRUNSVEN (E.), BARDY (S.), BUNEL (C.), CHEVRIE (D.), LE CORNEC (F.), LEDAIN (S.), MURRAY (F.), PHILIPPE (P.) - More than moore : towards passive and system-in-package integration. - In Proceedings of Electrochemical Society Symposium, vol. 0, p. 16-31 (2005).
(5) - W.D.C. (S.-L.), BREDERLOW (D.T.R.), WEBER (R.) - Low-frequency noise of integrated polysilicon resistors. - Electron Devices, IEEE Transactions on, vol. 48, p. 1180-1187 (2001).
1.1 Constructeurs – Fournisseurs – Distributeurs (liste non exhaustive)
IPDIA http://www.ipdia.com
ST Microelectronics http://www.st.com/internet/analog/class/1806.jsp
HAUT DE PAGE1.2 Laboratoires – Bureaux d'études – Écoles –Centres de recherche(liste non exhaustive)
LAAS http://www.laas.fr/
AMPERE http://www.ampere-lab.fr/
Université de Helsinki http://www.helsinki.fi/facultyofscience/research/index.html
London Imperial collegue http://www3.imperial.ac.uk/research
Centre technique et scientifique du bâtiment CSTB http://www.cstb.fr
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