Les systèmes principalement de télécommunications et les radars sont constitués d’un assemblage important de circuits, lesquels sont eux-mêmes fabriqués à l’aide de composants actifs ou passifs. Nous ne traiterons dans cet article que des circuits et composants passifs réciproques, les éléments non réciproques faisant l’objet de l’article suivant Circuits passifs hyperfréquences- Éléments non réciproques à ferrite.
Après avoir décrit rapidement leur principe de fonctionnement, nous nous attacherons à donner un certain nombre d’indications technologiques permettant de bien comprendre leurs caractéristiques pratiques ainsi que leur domaine d’application.
En fonction de ce que nous avons dit dans les articles Circuits passifs hyperfréquences- Guides d’ondes métalliques et Circuits passifs hyperfréquences- Filtres et cavités, il est clair que la majorité des circuits fonctionnant jusqu’à une vingtaine de gigahertz pourra être en technologie coaxiale, microruban ou coplanaire. Pour des fréquences supérieures, c’est-à-dire concernant les ondes millimétriques, ce sont les guides d’ondes qui sont majoritairement utilisés. Pour des fréquences supérieures à 200 GHz, des circuits conçus à l’aide des méthodes quasi optiques sont de plus en plus employés.
Les composants passifs des circuits micro-ondes seront classés en fonction du nombre d’accès. Plus leur nombre est important, plus la complexité est grande et plus est sophistiquée la fonction réalisée. Nous traiterons :
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des dipôles qui réfléchissent l’énergie (courts-circuits), l’absorbent entièrement (charges adaptées) ou partiellement (charges coulissantes) ;
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des quadripôles qui modifient l’amplitude (atténuateurs) ou la phase (déphaseurs) de l’onde électromagnétique, mais aussi des quadripôles qui modifient la direction de propagation de l’onde (coudes, torsades, joints tournants) ou qui permettent de changer la section droite de la structure guidante ;
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des tés, des diviseurs de puissance et des coupleurs directifs qui permettent d’envoyer une onde d’une voie incidente vers deux autres voies ou plus.
Pour caractériser de tels dispositifs, la technique très particulière des paramètres « s » sera introduite, décrite et appliquée.
