Modules photovoltaïques - Filières technologiques

1 - Présentation générale

• 1.1 - Les énergies renouvelables
• 1.2 - Le solaire photovoltaïque
• 1.3 - Films minces ou silicium massif ?
• 1.4 - Techniques de dépôt

2 - Filières chalcogénures polycristallins

• 2.1 - CdS/CdTe
  Figure 1 - Structure d’une cellule de base au CdS-CdTe Figure 2 - Schéma des bandes dans l’hétérojonction CdS-CdTe Figure 3 - Vue en coupe de l’interconnexion monolithique en tuiles d’un module CdTe Figure 4 - Réponse spectrale de cellules CdTe mesurées au NREL et dépendant des méthodes de dépôt. Effet de l’épaisseur de la couche de CdS Tableau 1
• 2.2 - Cu(In,Ga)Se2
  Figure 5 - Coupe de la cellule au CIGS Figure 6 - Structure de bande de la cellule CIS/CdS Tableau 2

3 - Filières silicium amorphe et microcristallin

• 3.1 - Silicium amorphe (a-Si:H)
  Figure 7 - Structure du silicium amorphe hydrogéné Figure 8 - Schéma de dépôt PECVD dans une boîte à plasma d’un module au a-Si:H Figure 9 - Structure d’une cellule de type PIN au silicium amorphe avec verre en superstrat Figure 10 - Courbes de réponse spectrales comparées de l’œil humain, d’une photopile au silicium cristallin et au silicium amorphe Figure 11 - Comparaison des caractéristiques i(V) type d’une cellule simple jonction (PIN) a-Si:H et d’une cellule au c-Si Figure 12 - Modules à jonction tandem avec superstrat en verre Figure 13 - Interconnexion monolithique en tuiles d’un module au a-Si:H avec superstrat en verre Figure 14 - Procédé de dépôt de a-Si:H sur substrat polyimide souple (Iowa Thin Film Technology) Figure 15 - Module à triple jonction avec substrat en acier inoxydable Figure 16 - Tambour sur lequel est enroulée une feuille d’acier inoxydable de plusieurs centaines de mètres de long sur laquelle va être déposé le Si amorphe par PECVD au défilé dans un four à passage
• 3.2 - Silicium microcristallin (µc-Si)
  Figure 17 - Croissance de silicium en film mince sur céramique par RTCVD, source CNRS-PHASE Tableau 3

4 - Conclusion