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Évaluation thermodynamique des précurseurs ALDArticle de référence RECHERCHE ET INNOVATION | Réf : RE259 v1
Auteur(s) : Alain Estève, Mehdi Djafari Rouhani, Carole Rossi
Date de publication : 10 oct. 2016
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Dans le contexte général des micro et nano-technologies, la simulation et les outils dont elles disposent peuvent intervenir à de très nombreux niveaux. Dans cet article, nous nous intéressons à la simulation à l’échelle atomique dédiée aux procédés de fabrication, à leur développement et à leur simulation prédictive, étant entendu que celle-ci peut également s’intéresser aux propriétés électroniques. Notre regard est ici exclusivement porté sur le procédé de dépôt par couche atomique, l’ALD.
Au-delà de la qualité des couches en volume, l’optimisation des propriétés des films ultra-minces réside essentiellement en la qualité de leurs interfaces. C’est donc sur ces quelques monocouches de transition substrat/couche déposées que se situent nombre de questions et de verrous. La caractérisation fine de ces interfaces, composition chimique, structure, nature et impact des défauts, se heurte à de grandes difficultés, liées par exemple à la nature défectueuse et souvent amorphe des couches et à la morphologie des interfaces. Dans ce contexte, la modélisation à l’échelle atomique a très largement contribué à la compréhension de la chimie des dépôts ainsi qu’à la détermination des structures électroniques des couches, particulièrement motivée par les développements, en micro-électronique, des oxydes ultimes pour les grilles de transistors MOS (Metal Oxide Semiconductor) ...
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INNOVATIONS TECHNOLOGIQUES
(1) - * - International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), www.itrs.net.
(2) - WILK (G.D.), WALLACE (R.M.), ANTHONY(J.M) - High-k gate dielectrics : current status and materials properties considerations, - J. Appl. Phys., 89, 5243 (2001).
(3) - HALL (S.), BUIU (O.), MITROVIC (I.Z.), LU (Y.), DAVEY (W.M.) - Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, - Journal of Telecommunication and information Technology, 33 (2007).
(4) - WIDJAJA (Y.), MUSGRAVE (C.B) - Quantum chemical study of the mechanism of aluminum oxide atomic layer deposition, - Appl. Phys. Lett. 80, 3304 (2002).
(5) - WIDJAJA (Y.), MUSGRAVE (C.B.) - Atomic layer deposition of hafnium oxide : A detailed reaction mechanism from first principles, - J. Chem. Phys. 117, 1931 (2002).
(6) - ESTÈVE (A.),...
Évaluation thermodynamique des précurseurs ALD,
Atomic Layer Deposition (ALD). Principes généraux, matériaux et applications,
Réacteurs ALD,
ALD en -microélectronique. Applications, équipements et productivité,
ALD pour les piles à combustible à haute température,
...
International Technology Road map for Semiconductors http://www.itrs.net
Materials genome Initiative http://www.mgi.gov
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