Article de référence | Réf : NM610 v1

Paramètres de dépôt
Dépôt de films nanométriques en pulvérisation cathodique radiofréquence

Auteur(s) : Gilles RENOU

Date de publication : 10 avr. 2006

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RÉSUMÉ

Cet article traite du dépôt de films nanométriques en pulvérisation cathodique radiofréquence, réservé il y a encore quelques temps aux domaines spatial et aéronautique. Désormais, ce procédé se propage à d’autres secteurs d’activités tels que la décoration ou le biomédical. L'article s’attache tout d'abord aux décharges basse température, basse pression : décharges diode continue et décharges radiofréquence (décharges excitées par des champs électriques haute fréquence). Les paramètres de dépôt sont ensuite passés en revue : les mécanismes de pulvérisation, la puissance, la pression et la distance cible-substrat.

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ABSTRACT

This article addresses the deposition of nanometric films by radiofrequency sputtering that, until recently, was reserved for use in the aeronautics and space fields. This process is now economically affordable for other industries as diverse as the decoration or biomedical sectors. Firstly, this article addresses low temperature and low pressure discharges: continuous discharge diodes and radio-frequency discharges (discharge excited by high-frequency electric fields). Following the deposition parameters are reviewed: spraying mechanisms, power, pressure as well as the target to substrate distance.

Auteur(s)

INTRODUCTION

Le dépôt de couches minces de quelques dizaines de nanomètres à quelques micromètres par pulvérisation cathodique (PVD en anglais : Physical Vapor Deposition) était réservé il y a quelque temps aux domaines spatial et aéronautique. Ce procédé, s'il reste toujours très utilisé en mécanique, est maintenant économiquement abordable pour d'autres secteurs d'activité aussi variés que la décoration ou le biomédical. La plupart des machines de dépôt par pulvérisation fonctionnent en diode magnétron. Mais dans certains cas, et en particulier lors de l'utilisation de cibles isolantes, l'utilisation d'un système radiofréquence est incontournable.

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v1-nm610


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3. Paramètres de dépôt

3.1 Mécanismes de pulvérisation

Une définition assez large de la pulvérisation est « l'érosion de la surface d'un matériau à l'échelle atomique sous l'impact d'une particule ». Les particules émises sont principalement des neutres à l'état fondamental, mais les composés ioniques comme les fluorures et chlorures émettent majoritairement des ions. Enfin, dans certains cas, des clusters (parfois de taille surprenante) peuvent être aussi émis. Dans notre cas, en plasma RF basse pression, la pulvérisation est l'émission d'atomes neutres ou chargés de la cible sous l'action d'un bombardement ionique. Cette éjection résulte du transfert d'énergie entre les ions incidents et les atomes constituants la cible.

Les deux séquences les plus communes dans notre configuration sont les suivantes :

Séquence 1 : rebond du projectile de masse mp sur un atome cible (A) de masse mc qui entraîne l'éjection d'un atome (B) de surface par le projectile lui-même.

Séquence 2 : le projectile sort de son site un premier atome (A) qui éjecte à son tour un atome de surface (B).

Si l'ion incident est beaucoup plus léger que l'élément cible, à incidence normale, la séquence 1 est seule réellement efficace.

Si l'ion incident est de masse voisine ou plus lourd que l'élément cible, la séquence 2 devient la plus efficace .

Dans les deux cas, il faut transmettre aux atomes de la cible un minimum d'énergie pour les déplacer, ce qui implique de la part du projectile une énergie cinétique minimale. Suivant les séquences de collision, cette énergie seuil s'exprime de façon différente :

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - BLAISE (G.) -   *  -  Aspects cinématiques de l'interaction ion-surface.

  • (2) - LIMOGE (Y.) -   Le vide, les couches minces.  -  Suppl. no 224, SFV (1984).

  • (3) - SIGMUND (P.) -   Theory of spottering.  -  Physical Review vol. 181, no 2 (1969).

  • (4) - SERWAY (R.) -   Physics for Scientists and Engineers.  -  Third edition, Saunders College Publishing.

  • (5) - RAIZER (Yu.P.) -   Gas Discharge Physics.  -  Springer.

  • (6) -   Interactions plasmas froids matériaux.  -  Journée d'études « Oléron 87 », Les éditions de la physique.

  • (7) - MAHAN...

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