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Compensateur-statique-a-base-de-thyristors dans les ressources documentaires

  • Article de bases documentaires
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  • 10 juil. 2024
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  • Réf : E1996

Dispositifs HEMT à base de GaN

Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de Ga... à multipoints, les liaisons satellitaires, les liaisons du réseau de transport ( backhauling ) jusqu’à 85 GHz... , car ils offrent une meilleure mobilité que les trous. Le principe de ce composant est basé sur l'existence d... HEMT de la filière nitrure de gallium, le canal conducteur est basé sur l’existence d’un gaz...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • Article de bases documentaires
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  • 10 déc. 2023
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  • Réf : E6570

Imagerie à bas niveau de lumière

des éclairements photoniques à faible flux et le mode comptage de photons Chaque photon est généré... bas niveau de lumière... L’imagerie à bas niveau de lumière porte sur le domaine de la vision nocturne et s’est étendu... et de l’imagerie à bas niveau de lumière se définit par ses applications. Historiquement, il est dominé...

Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.

  • ARTICLE INTERACTIF
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  • 10 juin 2020
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  • Réf : M4782

Alliages intermétalliques à base de TiAl

statiques et cycliques s’avéraient potentiellement au moins équivalentes à celles des superalliages à base... avec une capacité en température escomptée jusqu’à 850 °C. Les matériaux à base de Ti 3 Al ont été les premiers... ). Propriétés de base Le tableau  2 présente quelques propriétés de base du composé intermétallique TiAl... Cet article rassemble les données fondamentales pour l’utilisation d’alliages à base de TiAl...

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