- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2011
|- Réf : E2450
-conducteurs III-V, dont GaAs, GaN et InP ne sont que les représentants les plus connus en microélectronique... à celui du silicium pour GaAs et InP (respectivement + 4 % et + 8 %). Ce paramètre est notablement plus faible... mais restreint aux familles GaAs et InP. La structure cristalline a de plus un impact important... (respectivement environ 3, 5 et 8 fois supérieure à celle du silicium pour InP, GaAs et InGaAs pour des niveaux...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 janv. 2014
|- Réf : E3331
, le matériau utilisé pour la couche absorbante est le GaInAs en accord de maille sur substrat InP. L'InP... /InGaAs/InP crée un confinement vertical de la lumière ( n InGaAs > n InP ). La gravure... et n InP > n air ). La lumière va donc être guidée et absorbée dans un guide absorbant dont le cœur... sur substrat InP. Nous montrons, figure 10 DENTAN (M.), DE CREMOUX (B.) - Numerical simulation of the...
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- Article de bases documentaires
|- 10 juil. 2015
|- Réf : E7005
actives (émission, modulation et détection) : l'intégration monolithique sur InP et l'intégration hybride... en phosphure d'indium (InP) AGRAWAL (G.P.), DUTTA (N.) - Semiconductor lasers. . Le système GaAs couvre... la bande de 0,8 à 1,3 μm et le système InP la bande de 1,3 à 1,6 μm. Ces matériaux sont élaborés... , l'autre dopée p. Par exemple, pour les lasers émettant dans la bande de 1,3 à 1,6 μm, on utilise de l'InP...
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