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EnglishRÉSUMÉ
Cet article est consacré au Transistor à Haute Mobilité Electronique (HEMT) à base de GaN dont le fonctionnement, la structure épitaxiale et les limitations physiques et thermiques sont analysés. Il décrit les différentes étapes technologiques et les variantes possibles pour un fonctionnement à haute fréquence, ainsi que les méthodes de caractérisation électrique, caractérisation en régime hyperfréquence, caractérisation en puissance et caractérisation thermique. Les principales applications sont abordées : l’amplification de puissance hyperfréquence de la bande S à la bande W, les commutateurs HEMT GaN et les diodes GaN dédiés aux convertisseurs pour l’électronique de puissance et les amplificateurs faible bruit robustes.
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Jean-Claude DE JAEGER : Professeur émérite à l’Université de Lille, France - Groupe Composants et Dispositifs Micro-ondes de Puissance à l’Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), - UMR CNRS 8520, Villeneuve-d’Ascq, France
INTRODUCTION
Le monde des semi-conducteurs est dominé, en termes de marché, par le silicium. Cependant, il existe d’autres semi-conducteurs tels que le germanium, mais surtout les semi-conducteurs III-V, qui permettent d’obtenir de meilleures performances dans des domaines spécifiques d’applications. Les principaux sont le GaAs et l’InP, et plus récemment les semi-conducteurs dit grand gap, tels que le SiC et le GaN avec des gaps respectifs de 3,2 et 3,4 eV. Ces semi-conducteurs permettent de réaliser des composants qui allient tensions de claquage et courants élevés, ce qui les destinent aux applications de puissance. Cet article traite les aspects liés à la réalisation technologique des composants et leur caractérisation électrique et hyperfréquence.
En ce qui concerne la technologie des HEMTs (transistor à haute mobilité électronique), différentes étapes sont nécessaires à partir d’une lithographie électronique : les marques d’alignement qui correspondent à des points de repère sur l’échantillon afin d’aligner et d’écrire les différents niveaux de masque ; les contacts ohmiques qui peuvent être recuits ou non alliés ; l’isolation des composants obtenue soit à partir d’une structure mésa, soit par implantation ionique ; la réalisation des électrodes de grille constituant une des étapes les plus critiques pour la montée en fréquence ; la passivation du composant précédée d’un prétraitement afin d’améliorer l’interface ; l’interconnexion et enfin les ponts à air pour les composants ayant plus de deux doigts de grille. Pour obtenir des transistors fonctionnant à des fréquences élevées, il est impératif de diminuer les éléments parasites, aussi différents types de grille ont été proposés : en T ou champignon, en Γ, en TT ou en Y. Il faut également réduire les dimensions, aussi la technologie auto-alignée constitue une alternative intéressante. Les transistors HEMTs doivent être caractérisés en régime électrique et en hyperfréquence. Ceci permet d’établir la qualité des contacts ohmiques, de déterminer les performances en tension et en courant, la transconductance, et les performances en fréquence via la mesure des paramètres S. Les performances en puissance sont quant à elles déterminées à partir de mesures de type load pull.
Les HEMTs de la filière GaN sont surtout destinés à l’application de puissance hyperfréquence et à la conception de commutateurs pour les convertisseurs en électronique de puissance. Les applications de puissance hyperfréquence concernent les domaines militaires et civils dédiés aux télécommunications, pour des fréquences de fonctionnement allant de la bande S à la bande W. Les principales applications concernent les radars civils et militaires. Dans le domaine militaire, on peut également citer les brouilleurs et les autodirecteurs de missiles. Dans le domaine des télécommunications, les applications sont les liaisons point à point et point à multipoints, les liaisons satellitaires, les liaisons du réseau de transport (backhauling) jusqu’à 85 GHz. Les potentialités de la technologie GaN laissent également présager la possibilité de développer des amplificateurs faible bruit dit « robustes », présentant un facteur de bruit et un gain identiques à ceux obtenus par la technologie GaAs, tout en étant capables de résister à des champs électriques élevés, ce qui peut permettre la suppression des limiteurs dans les chaînes de réception radar. La dernière application concerne les convertisseurs pour l’électronique de puissance où on allie une grande robustesse diélectrique, une densité de courant élevée, la possibilité de commutation rapide, une faible résistance Ron et la capacité de supporter des températures de fonctionnement élevées. Pour cet objectif, il est impératif de développer des HEMTs normalement bloqués et également des diodes GaN afin de simplifier la conception de convertisseurs de puissance fonctionnant à haute fréquence (> 1 MHz).
En fin d'article, le lecteur trouvera un glossaire et un tableau des sigles et des symboles utilisés.
VERSIONS
- Version archivée 1 de nov. 2017 par Jean-Claude DE JAEGER
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3. Caractérisation des transistors de type HEMT
Après fabrication, les transistors de type HEMT de la filière GaN dédiés aux applications de puissance sont mesurés en utilisant différentes techniques. Dans ce but, lors de la réalisation d’un jeu de masques, outre les transistors, on inclut différents motifs de tests, permettant de caractériser le bon déroulement du procédé de fabrication (respect des dimensions, rendement, valeurs des paramètres électriques…).
3.1 Caractérisation électrique en régimes statique et impulsionnel
3.1.1 Grandeurs électriques en régime statique
La caractérisation des composants en régime statique est basée sur la détermination de la caractéristique de sortie pour différentes valeurs de la tension et la caractéristique de transfert pour différentes valeurs de en régime de saturation du transistor. À partir de cette dernière caractéristique, il est possible de déduire la transconductance du transistor. Les figures ...?xml>?xml>?xml>?xml>?xml>
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Caractérisation des transistors de type HEMT
BIBLIOGRAPHIE
-
(1) - CAPPY (A.) - Propriétés physiques et performances potentielles des composants submicroniques à effet de champ : structures conventionnelles et à gaz d'électrons bidimensionnel. - Thèse de Doctorat d’État en Sciences Physiques, université de Lille 1 (1986).
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(2) - RIDLEY (B.K.), FOUTZ (B.E.), EASTMAN (L.F.) - Mobility of electrons in bulk GaN and AlxGa1−xN/GaN heterostructures. - Physical Review B, vol. 61, no. 24, pp. 16862-16869 (2000).
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(3) - GIACOLETTO (L.J.) - Diode and transistor equivalent circuits for transient operation. - IEEE Journal of Solid-State circuits, vol. 4, pp. 80-83 (1969).
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(4) - BAH (M.), VALENTE (D.), LESECQ (M.), DEFRANCE (N.), GARCIA BARROS (M.), DE JAEGER (J.C.), FRAYSSINET (E.), COMYN (R.), THI HUONG NGO, ALQUIER (D.), CORDIER (Y.) - Electrical activity at the Aln/Si interface : identifying the main origin of propagation losses in GaN on Si devices at microwave frequencies. - Scientific Reports 10, p. 14166 (2020).
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(5) - LEONE...
DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
ANNEXES
International Conference on Nitride semiconductors (ICNS)
La dernière (14e) a eu lieu à Fukuoka, Japon en novembre 2023.
European Microwave Week (EuMW)
La prochaine a lieu à Paris, France en octobre 2024.
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
La dernière a lieu à San Francisco, USA en juin 2023.
https://www.ieee.org/conferences
International Microwave Symposium (IMS)
La prochaine a lieu à Washington, USA en juin 2024.
Journées Nationale Microondes
La prochaine a lieu à Antibes Juan-les pins en Juin 2024.
https://jnm2024.scienceconf.org
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