Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC) : Modélisation des diodes Schottky en régime direct | Techniques de l’Ingénieur

Article de référence | Réf : D3119 v1

Modélisation des diodes Schottky en régime direct
Propriétés physiques et électroniques du carbure de silicium (SiC)

Auteur(s) : Christophe RAYNAUD

Date de publication : 10 mai 2007