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Mémoires à semi-conducteursArticle de référence | Réf : E2491 v2
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Auteur(s) : Philippe DARCHE
Date de publication : 10 juin 2020
Relu et validé le 05 janv. 2021
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Technologies logicielles Architectures des systèmes (225 articles en ce moment)
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L’interface a longtemps été négligée par les concepteurs. On peut dire qu’elle est restée figée pendant les dix premières années après sa première commercialisation. Classiquement, la mémoire nécessite une adresse, un port d’E/S de l’information DQ et des signaux de contrôle, au minimum la spécification du type d’accès R/#W. Pour dialoguer avec le processeur, des bus dédiés ont été nécessaires. Ce sont les bus d’adresse, de données et de contrôle. Pour augmenter le débit, l’augmentation de la largeur des chemins de données et d’adresse a été proposée. Par ailleurs, l’interface de la mémoire vive statique a commencé à évoluer vers la fin des années 1970 avec l’utilisation d’un signal d’horloge externe. Celle de la mémoire vive dynamique a suivi dans les débuts des années 1990 avec le modèle SDRAM.
5.1 Augmentation des formats de donnée et d’adresse
À l’origine, le format de sortie n de donnée était d’un bit. Pour augmenter le débit, l’élargissement à un format supérieur est une solution. Elle est employée en interne du boîtier, au niveau de toute la hiérarchie ou au niveau du sous-ensemble mémoire de l’ordinateur sous la forme de barrettes appelées banc externe ou rangée (rank) à l’aide d’un entrelacement. Cette solution augmente le débit mais ne diminue pas le temps d’accès.
L’adressage de la DRAM est multiplexé dans le temps (adresse de ligne puis adresse de colonne), la justification étant historique afin de minimiser le nombre de broches du boîtier. Présenter une adresse complète apporte un gain de temps au niveau de son décodage, approche de la FCRAM (Fast Cycle RAM).
HAUT DE PAGE
Quand on observe un accès asynchrone à la mémoire, par exemple en écriture (figure 29), on remarque que le bus d’adresse est occupé pendant tout le cycle (durée t WC).
Pour diminuer ce temps de blocage du bus par la mémoire et, par la suite, augmenter...
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TECHNOLOGIES LOGICIELLES ARCHITECTURES DES SYSTÈMES
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(1) - DARCHE (P.) - Architecture des ordinateurs – Mémoires à semi-conducteurs : Principe de fonctionnement et organisation interne des mémoires vives. - Volume 1. Éditions Vuibert. ISBN 978-2-311-00476-2 (2012).
(2) - SIDDIQI (M.A.) - Dynamic RAM : Technology Advancements. - CRC Press. ISBN-13 978-1439893739 (2012).
(3) - Low power and reliable SRAM memory cell and array design. - Koichiro Ishibashi and Kenichi Osada Editors. Springer Séries in Advanced Microelectronics. ISBN 978-3-642-19567-9 (2011).
(4) - MASUOKA (F.) et al - A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology. - International Electron Devices Meeting (IEDM) Digest, vol. 30, p. 464-467 (1984).
(5) - DARCHE (P.) - Architecture des ordinateurs – Interfaces et périphériques – Cours avec exercices corrigés. - Éditions Vuibert. ISBN 2-7117-4814-6 (2003).
...
...
IEEE Draft Standard for Prefixes for Binary Multiples. The Institute of Electrical and Electronics Engineers. New York, USA. - IEEE STD P1541/D5 - 2002
IEEE Standard for Prefixes for Binary Multiples. ISBN 0-7381-3386-8. - IEEE STD 1541-2002 -
IEC Letter symbols to be used in electrical technology – Part 2 : Telecommunications and electronics – Symboles littéraux à utiliser en électrotechnique – Partie 2 : Télécommunications et électronique. International Electrotechnical Commission – Édition 2.0 – Bilingual. Août 2005. - NF EN IEC 60027-2 - 2019
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