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Mémoires à semi-conducteursArticle de référence | Réf : E2491 v2
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Auteur(s) : Philippe DARCHE
Date de publication : 10 juin 2020
Relu et validé le 05 janv. 2021
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Technologies logicielles Architectures des systèmes (225 articles en ce moment)
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La logique de contrôle (figure 12), périphérique au plan de mémorisation, concerne principalement le décodeur d’adresse de ligne de mot, le conditionneur de ligne de bit, l’amplificateur de lecture SA, ainsi que le multiplexeur de colonnes (MUX). Ce dernier regroupe les fonctions de décodage d’adresse de colonne et de sélection d’une colonne.
3.1 Décodeur d’adresse de ligne
Le rôle des décodeurs d’adresse est de sélectionner une ligne et une colonne afin d’adresser par coïncidence la cellule de mémorisation. Pour cela, l’adresse fournie à la mémoire est décomposée en deux champs, l’adresse de ligne, de poids le plus élevé, et celle de colonne. Par ailleurs, il faut distinguer le décodeur d’adresse de ligne et celui de colonne. En effet, ce dernier, associé à un sélectionneur, est en fait un multiplexeur qui permet de faire circuler l’information binaire de ou vers la cellule.
Le décodeur d’adresse de ligne est chargé, à partir de l’adresse, d’activer une unique ligne. L’augmentation de la capacité de mémorisation a fait augmenter le degré des mintermes de son équation booléenne. Au niveau implémentation dans une technologie CMOS, cela implique des étages d’entrées avec un nombre élevé de transistors en série, qui entraîne une dégradation des temps de commutation proportionnels à l’entrance des portes. La solution usuellement retenue pour minimiser le nombre d’entrées est de réaliser un décodage en deux étapes dénommées « prédécodage » et « décodage final » comme l’illustre la figure 13. Une autre fonction est l’amplification électrique car chacune de ses sorties voit une capacité de ligne élevée.
HAUT DE PAGE
L’amplificateur de lecture (SA) est l’élément critique de la mémoire, surtout pour la DRAM, car il doit déterminer un niveau logique à partir d’une différence de tensions de l’ordre de la centaine de millivolts....
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TECHNOLOGIES LOGICIELLES ARCHITECTURES DES SYSTÈMES
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(1) - DARCHE (P.) - Architecture des ordinateurs – Mémoires à semi-conducteurs : Principe de fonctionnement et organisation interne des mémoires vives. - Volume 1. Éditions Vuibert. ISBN 978-2-311-00476-2 (2012).
(2) - SIDDIQI (M.A.) - Dynamic RAM : Technology Advancements. - CRC Press. ISBN-13 978-1439893739 (2012).
(3) - Low power and reliable SRAM memory cell and array design. - Koichiro Ishibashi and Kenichi Osada Editors. Springer Séries in Advanced Microelectronics. ISBN 978-3-642-19567-9 (2011).
(4) - MASUOKA (F.) et al - A new flash E2PROM cell using triple polysilicon technology. - International Electron Devices Meeting (IEDM) Digest, vol. 30, p. 464-467 (1984).
(5) - DARCHE (P.) - Architecture des ordinateurs – Interfaces et périphériques – Cours avec exercices corrigés. - Éditions Vuibert. ISBN 2-7117-4814-6 (2003).
...
...
IEEE Draft Standard for Prefixes for Binary Multiples. The Institute of Electrical and Electronics Engineers. New York, USA. - IEEE STD P1541/D5 - 2002
IEEE Standard for Prefixes for Binary Multiples. ISBN 0-7381-3386-8. - IEEE STD 1541-2002 -
IEC Letter symbols to be used in electrical technology – Part 2 : Telecommunications and electronics – Symboles littéraux à utiliser en électrotechnique – Partie 2 : Télécommunications et électronique. International Electrotechnical Commission – Édition 2.0 – Bilingual. Août 2005. - NF EN IEC 60027-2 - 2019
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