- Article de bases documentaires
|- 10 mars 2024
|- Réf : E1995
’applications. Les principaux sont le GaGaAs et l’InP, et plus récemment les semiconducteurs dit « grand gap... de GaGaAs, suivie d’un épaississement avec une technique à taux de croissance élevé comme la HVPE... HEMT GaN... Dans le domaine de la microélectronique de puissance hyperfréquence, le matériau à grand gap Ga...
Les articles de référence permettent d'initier une étude bibliographique, rafraîchir ses connaissances fondamentales, se documenter en début de projet ou valider ses intuitions en cours d'étude.
- Article de bases documentaires
|- 10 janv. 2009
|- Réf : NM2050
caractéristiques structurales et optiques des boîtes quantiques autoassemblées InAs/GaAs seront décrites... sur substrat de InP. Cependant, les diodes laser élaborées à partir de substrats de GaGaAs offrent... , aujourd’hui, de la filière GaGaAs reste de créer une région active de haute qualité optique émettant... sur substrat de GaGaAs est aujourd’hui la solution la plus prometteuse à 1,30 μm . Principe de...
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- Article de bases documentaires
|- 10 nov. 2020
|- Réf : TBA3030
de leur utilisation. Les règles complémentaires des établissements du type GA régissent principalement... dans les établissements de type GA (gares accessibles au public). Ces règles concernent principalement... . La réglementation distingue les dispositions communes à tous les établissements de type GA (articles GA 1 à GA 13... ), de celles applicables aux établissements de type GA des quatre premières catégories (articles GA 14 à GA 48...
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