Conclusion
Gravure par Couche Atomique ALE

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RE271 V1 Article de référence

Conclusion
Gravure par Couche Atomique ALE

Auteur(s) : Marceline BONVALOT, Thierry CHEVOLLEAU, Rémi DUSSART, Cédric MANNEQUIN, Nicolas POSSÉMÉ, Thomas TILLOCHER, Christophe VALLÉE

Date de publication : 9 octobre 2026

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8. Conclusion

Le procédé ALE est le deuxième procédé de la famille des procédés à l’échelle atomique (ASP, Atomic Scale Processing) à avoir été utilisé par les industries des semiconducteurs. Cette famille comporte actuellement trois procédés : ALD, ALE et ASD (Area Selective Deposition) [RE 264]. Ce procédé, bien que lent, offre des solutions alternatives aux procédés classiques de gravure plasma. Il peut ainsi permettre d’obtenir des sélectivités infinies, avec des gravures limitant la rugosité de surface. La vitesse de gravure est aussi, par construction, indépendante du facteur...

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