Présentation
EnglishRÉSUMÉ
Les cartes électroniques sont conçues avec une augmentation constante de niveau de complexité. Des effets sur la Compatibilité ElectroMagnétique (CEM) et l’Intégrité du Signal (IS) sont constatés. Pour éviter ces conséquences indésirables, une méthodologie de simulation et de modélisation est nécessaire. Le présent article propose une méthode de simulation et modélisation en CEM conduite d’une carte électronique. Des modèles d’émission et de susceptibilité en CEM conduite sont considérés. Une étude marginale décrite en dernière section permet d’évaluer le niveau de risque de dysfonctionnement d’une carte électronique.
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Blaise RAVELO : Ingénieur de l’ESPA/Université d’Antsiranana, Master et Docteur de l’UBO, - HDR de l’université de Rouen, - Professeur au NUIST, Nankin, Jiangsu, Chine
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Sébastien LALLÉCHÈRE : Ingénieur de Recherche en CEM et Docteur de l’Université Blaise Pascal, - HDR de l’Université Clermont Auvergne, - SafranTech, Magny-les-Hameaux, France
INTRODUCTION
Pour répondre aux besoins publics, les industries de conception et de fabrication des cartes électroniques ou PCB (Printed Circuit Board) s’orientent vers une technologie électronique avec implémentation à haute densité. Les électroniques sont de plus en plus contraintes de fonctionner dans des environnements sévères. Comme tous les équipements électriques, les PCB et les circuits électroniques doivent systématiquement satisfaire des contraintes de compatibilité électromagnétique (CEM) [E 1 320] [E 2 475]. À la différence des autres domaines de l’ingénierie, la conception en CEM des PCB nécessite des notions fondamentales [E 1 320] et des éléments de connaissance en matière de théorie des circuits et d’électromagnétisme [E 1 315]. Les tests de CEM de conformité sont mis au point avec des méthodologies adaptées aux équipements électriques et leurs environnements de fonctionnement [E 1 315].
Cependant, quels que soient les équipements et plus particulièrement les PCB, il faut noter que les tests en CEM sont souvent onéreux et réclament un temps d’exécution pouvant être fastidieux. Pour remédier à ce coût, il est possible d’agir en amont durant la phase de conception en mettant au point des modèles analytiques ou numériques des émissions et des susceptibilités en modes rayonné et conduit. À l’image des tests expérimentaux, il existe divers types de modèles en CEM. Tout d’abord, on peut noter les modèles systémiques pouvant s’appliquer aux circuits relativement complexes. Des modèles analytiques d’interaction en supposant les émissions conduites et de rayonnement en champ proche des PCB peuvent être considérés. À l’inverse, l’influence du rayonnement EM se modélise aussi avec des fonctions analytiques de couplage avec les éléments des PCB. Des modèles d’émission et de susceptibilité conduites des composants sont également des solutions pour les fabricants des équipements. Pour les ingénieurs de conception hardware, tous ces différents modèles permettent de prédire les éventuels effets en CEM avant d’effectuer la réalisation. Pour les PCB, il est important de souligner qu’il est imaginable de développer des techniques de réduction des effets de CEM par exemple en utilisant des circuits à Temps de Propagation de Groupe (TPG) négatifs.
En plus des modèles de CEM composants [E 2 475], les interconnexions électriques [E 3 455] jouent un rôle important pour la conception en CEM des PCB. Une modélisation des composants localisés passifs à base des réseaux de neurone est proposée dans la littérature. Des cas de modélisation d’interconnexions électriques validés avec des Lignes de Transmission (LT) micro-ruban ont été proposés [E 3 455] [E 3 457].
Le présent article est destiné à développer une méthodologie de simulation en CEM conduite d’un circuit électronique représentant un PCB. La méthode dépend de la définition de l’environnement de test à l’origine des bruits de perturbation comme le cas de l’alimentation et des sources de décharges. Ensuite, le schéma équivalent électrique de couplage des tensions ou des courants représentant les émissions de CEM conduites est nécessaire. Dans ce schéma, tous les éléments sensibles ou pouvant influencer les paramètres d’Intégrité de Signal (IS) et d’Intégrité de Puissance (IP) devront être modélisés. Pour cette étude, on s’intéresse au cas des composants passifs R, L et C, actifs comme un oscillateur et un microcontrôleur (µC ou MCU), et également l’effet des interconnexions électroniques. Puis, la Sureté de Fonctionnement (SdF) vis-à-vis des perturbations de CEM affectant le circuit est estimée.
Le lecteur trouvera en fin d'article un glossaire et un tableau des sigles et des symboles utilisés.
MOTS-CLÉS
CEM simulation PCB émission conduite susceptibilité conduite intégrité du signal méthodologie d'analyse
VERSIONS
- Version archivée 1 de oct. 2022 par Blaise RAVELO, Sébastien LALLÉCHÈRE
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2. Présentation du cas d’étude en CEM du circuit sous test et des fonctions le constituant
Pour mieux comprendre la faisabilité de la méthode de simulation en CEM élaborée dans cet article, le paragraphe suivant introduit la représentation fonctionnelle et paramétrique du circuit étudié.
2.1 Description fonctionnelle du cas d’étude
La preuve de concept de notre méthode de simulation est basée sur un circuit de type actif. Il s’agit d’un circuit mixte intégrant une alimentation à découpage et deux composants numériques. Ces derniers représentent des circuits intégrés (CI) comme le timer 555 et le microcontrôleur MCU 68000. La partie passive contient des composants localisés et distribués, ce cas d’étude est schématisé par la figure 5.
Comme souligné par Olivier Maurice , la connaissance du circuit au centre de l’étude joue un rôle fondamental pour mieux mener l’analyse de CEM. Nous aborderons plus tard l’interaction de ce circuit avec la perturbation en CEM conduite sur la liaison type alimentation secteur.
HAUT DE PAGE2.2 Éléments constitutifs du circuit étudié
Nous constatons que le circuit étudié présente plusieurs blocs. La présente preuve de concept est constituée par :
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une source d’alimentation en tension de résistance interne ;
-
un hacheur abaisseur avec entrée ?xml>
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BIBLIOGRAPHIE
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(1) - RAVELO (B.), LIU (Y.), JASTRZEBSKI (A.K.) - PCB Near-Field Transient Emission Time-Domain Model, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. - Vol. 57, No. 6, p. 1320-1328 (2015).
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(2) - XU (Z.), RAVELO (B.), MAURICE (O.), GANTET (J.), MARIER (N.) - Radiated EMC Kron's Model of 3-D Multilayer PCB Aggressed by Broadband Disturbance, IEEE Transactions on Electromagnetic Compatibility. - Vol. 62, No. 2, p. 406-414 (2020).
-
(3) - MANJOMBE (Y.T.), AZZOUZ (Y.), BAUDRY (D.), RAVELO (B.), BENBOUZID (M.E.H.) - Experimental investigation on the power electronic transistor parameters influence to the near-field radiation for the EMC applications, Progress In Electromagnetics Research (PIER) M. - Vol. 21, p. 189-209 (2011).
-
(4) - MAURICE (O.), RAVELO (B.), XU (Z.) - PCB-conducted susceptibility (CS) EMCTAN modelling”, Tensorial analysis of Networks (TAN) Modelling for PCB Signal Integrity and EMC Analysis, Chap. 10, IET Materials, Circuit and Devices Series 72. - Publisher Michael Faraday House, Six Hills Way, Stevenage, Hertfordshire, UK, PBCS0720, p. 229-258 (2020).
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DANS NOS BASES DOCUMENTAIRES
NORMES
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Appareils industriels, scientifiques et médicaux – Caractéristiques de perturbations radioélectriques – Limites et méthodes de mesure. - IEC CISPR 11 - 2024
-
Équipements de technologie de l'information – Propriétés de distorsion radio – Test des limites et méthodes de mesure. - IEC CISPR 22 - 2019
-
Compatibilité électromagnétique (CEM) – Partie 3-2 : limites – Limites pour les émissions de courant harmonique (courant appelé par les appareils inférieur ou égal à 16 A par phase). - NF EN IEC 61000-3-2 - mars 2019
-
Compatibilité électromagnétique (CEM) – Partie 4-3 : techniques d'essai et de mesure – Essai d'immunité aux champs électromagnétiques rayonnés aux fréquences radioélectriques. - NF EN IEC 61000-4-3 - septembre 2006
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Compatibilité électromagnétique (CEM) – Partie 4-4 : techniques d'essai et de mesure – Essais d'immunité aux transitoires électriques rapides en salves. - NF EN IEC 61000-4-4 - février 2013
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