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Éléments de comparaison des semi-conducteurs de puissance
Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres
D3100 v2 Article de référence

Éléments de comparaison des semi-conducteurs de puissance
Composants semi-conducteurs de puissance : caractères propres

Auteur(s) : Philippe LETURCQ

Date de publication : 10 août 1999 | Read in English

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1 - Rôle des semi-conducteurs en électronique de puissance

2 - Caractères comportementaux

3 - Caractères physiques

4 - Éléments de comparaison des semi-conducteurs de puissance

Sommaire

Présentation

Auteur(s)

  • Philippe LETURCQ : Professeur à l’Institut National des Sciences Appliquées de Toulouse Laboratoire d’Analyse et d’Architecture des Systèmes du CNRS (LAAS)

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INTRODUCTION

Les composants semi-conducteurs de puissance, par leurs principes physiques de fonctionnement, ne diffèrent pas fondamentalement de leurs homologues du traitement du signal analogique ou numérique. Ce qui les distingue, c’est leur fonction en électronique de puissance, qui est celle d’interrupteurs, mieux encore que les ordres de grandeur de tension et courant commutables, qu’on souligne parfois pour leur caractère spectaculaire (8kV/3kA par exemple pour tel thyristor Gate-Turn-Off). Quel que soit le niveau de puissance, en effet, l’accent est mis sur des caractéristiques telles que tension bloquée, courant passant, temps de fermeture et d’ouverture, pertes de puissance statiques et de commutation... avec des spécifications qui nécessitent une toute autre organisation des structures semi-conductrices que celle des composants microélectroniques.

Trop longtemps, le monde des semi-conducteurs, physiciens, technologues, concepteurs et fabricants de composants, et le monde du génie électrique, auquel appartient la communauté de l’électronique de puissance, ont peu communiqué à propos des composants de puissance sinon à travers les études de marché et les données des catalogues. Paradoxalement aussi, l’électrotechnique, discipline généraliste s’il en est, s’est toujours intéressée, jusqu’au niveau fondamental, aux matériaux magnétiques et diélectriques, mais a longtemps délaissé les semi-conducteurs.

Aujourd’hui, le raffinement des applications de l’électronique de puissance ne permet plus au concepteur de composants d’ignorer les spécificités et les contraintes de leur mise en œuvre, de même que l’électronicien de puissance ne peut mettre pleinement à profit les possibilités des composants de puissance modernes sans comprendre leur fonctionnement interne.

Ce fascicule constitue donc l’introduction générale à une série d’articles traitant successivement des propriétés électroniques du silicium, principal matériau semi-conducteur utilisé, des structures semi-conductrices élémentaires et des effets fondamentaux que celles-ci font naître, de la tenue en tension des composants de puissance, sujet générique, avant d’aborder de manière plus spécifique les principes de fonctionnement et l’étude des caractéristiques statiques et dynamiques des principaux composants de puissance actuellement utilisés. Un article complémentaire donne un aperçu des développements dans le domaine de l’intégration de puissance.

Dans ce chapitre introductif même, dont la conception doit beaucoup aux échanges de vues entre l’auteur et le Professeur Henri Foch, on présente les semi-conducteurs de puissance sous les différents aspects de leurs fonction, de leurs spécificités vis-à-vis des autres composants semi-conducteurs, et de leurs performances actuelles.

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4. Éléments de comparaison des semi-conducteurs de puissance

4.1 Compromis de performances

  • De ce qui précède, se dégage la conclusion que pour chaque type de composant, la tenue en tension, le calibre en courant et les performances dynamiques sont intrinsèquement liées, principalement par l’intermédiaire des caractéristiques d’épaisseur et de résistivité de la région constituant la « base » du dispositif. Ainsi, l’accroissement de la tenue en tension, requérant de la base une plus forte épaisseur et une plus grande résistivité, s’accompagne, en règle générale, d’une réduction de la capacité en courant par unité de surface de cristal, celle-ci étant plus sévère dans les composants unipolaires que dans les composants bipolaires où la résistance de cette région peut-être modulée par les porteurs injectés. Corrélativement, le stockage de charges qu’implique la modulation de conductivité fait que les performances dynamiques des composants bipolaires se dégradent de manière beaucoup plus importante que celles des composants unipolaires, à tensions blocables croissantes. De là un inévitable « compromis » en tension, courant et fréquence de commutation qui peut cependant se situer très différemment selon les types de composants.

  • Ce « compromis » est illustré par les figures 7, 8 et 9 pour les principaux types de composants semi-conducteurs utilisés aujourd’hui. La base d’analyse est la relation [7], compte tenu de la limitation [5] avec, pour l’évaluation des grandeurs V0, R, Eon,off, des modèles simples qui ne retiennent comme paramètres variables...

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