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Amplificateurs de faibles niveauxARCHIVE | Réf : E3330 v1
Auteur(s) : Béatrice CABON, Jean CHAZELAS, Daniel DOLFI
Date de publication : 10 nov. 2003
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En 2003, le principe utilisé dans les transmissions optiques est la modulation d’amplitude de la porteuse optique. Pour des applications aux transmissions longues distances ou aux réseaux, des études ont été entreprises dans les domaines des autres types de modulation (modulation de la fréquence optique, de la phase, ...). L’avènement des amplificateurs optiques à fibre dopée à l’erbium (AFDE ou en anglais, Erbium Doped Fibre Amplifier, EDFA) a considérablement réduit l’intérêt de ces études pour les applications de télécommunications. L’amplification optique a en effet permis, en réduisant les pertes d’insertion, de réduire le bruit additionnel des liaisons et ainsi d’en accroître la sensibilité sans avoir recours à des techniques de cohérence optique ou de modulation de fréquence, très difficiles à mettre en œuvre. Cependant, pour certaines applications analogiques, la modulation de fréquence présente une robustesse au bruit démontrée. De plus, certaines publications tendent à montrer qu’une meilleure dynamique peut être atteinte avec ce type de modulation.
Par ailleurs, l’augmentation des capacités et fonctionnalités des liaisons en télécommunications a conduit au développement de sources, telles que des diodes laser monofréquences optiques, triées en longueurs d’ondes d’émission.
Les composants émettant dans les fenêtres de longueurs d’ondes centrées sur 1 300 et 1 500 nm sont réalisés sur substrat de phosphure d’indium (InP).
La figure 2 présente un exemple de structure développée à Thales Research & Technology (TRT). Les tailles typiques de ces composants sont de l’ordre de 400 µm2 avec une épaisseur de l’ordre de la centaine de micromètres. La zone active est un ruban d’une longueur égale à celle de la puce, d’une largeur de 1,5 µm et de quelques dixièmes de micromètres d’épaisseur. Le diagramme d’émission est donc divergent avec des angles distincts dans le plan de la jonction et perpendiculairement au plan de la jonction.
L’émission est commandée par injection de courant. L’effet laser apparaît à partir d’un courant de seuil selon une loi représentée figure ...
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ÉLECTRONIQUE
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