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Diodes électroluminescentes organiques (OLED) émettrices de lumière blanche - Caractéristiques et applications pour l'éclairageArticle de référence | Réf : E4060 v2
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Auteur(s) : Isabelle RIBET, Marcel CAES, Sophie DERELLE, Sylvie BERNHARDT, Julien JAECK
Date de publication : 10 févr. 2021
Relu et validé le 12 avr. 2021
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Dans ce paragraphe, nous commençons par décrire la brique « circuit de détection » des détecteurs quantiques, en tentant de répondre aux questions suivantes : comment les matériaux absorbants sont-ils choisis ? Comment les structures détectrices dans lesquelles ils sont intégrés sont-elles conçues ? Nous présentons ensuite la brique « circuit de lecture ». Enfin, nous expliquons comment circuit de détection et circuit de lecture sont assemblés et étudions l’intégration de la matrice hybridée en cryostat opérationnel pour obtenir un bloc détecteur commercial.
Il existe de nombreuses filières de détecteurs quantiques . Nous nous intéressons ici aux principales filières pour lesquelles des matrices sont commercialement disponibles, à savoir : InGaAs, InSb, HgCdTe, InAsSb, QWIP et T2SL (ces termes sont définis par la suite).
Comme nous l’avons vu dans l’introduction, le silicium n’absorbe pas au-delà de 1,11 μm à température ambiante, il ne peut donc pas être utilisé comme matériau absorbant dans l’infrarouge. Il existe fort heureusement un grand nombre d’alliages de semiconducteurs candidats. On peut par exemple citer :
des alliages issus des colonnes III et V du tableau de Mendeleïev : InGaAs, InSb, InAsSb, GaAs/AlGaAs, InAs/GaSb ;
un alliage issu des colonnes II et VI : HgCdTe (aussi appelé MCT pour Mercury Cadmium Telluride).
Les matériaux InGaAs, InSb, InAsSb ou encore HgCdTe sont dits massifs, ou bulk, car l’absorption est préférentiellement localisée dans un volume de composition homogène (à noter que pour des raisons liées à la croissance ou à l’optimisation, le photodétecteur peut être composé de plusieurs matériaux...
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OPTIQUE PHOTONIQUE
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(1) - MEYZONNETTE (J.-L.), LEPINE (T.) - Bases de la radiométrie optique. - Cépaduès Éditions (2002).
(2) - VATSIA (L.M.) - Atmospheric optical environment. - Research and Development Technical Report ECOM-7023, Prepared for the Army Night Vision Lab, Fort Belvoir, Va (1972).
(3) - SIMONEAU (P.), BELLISARIO (C.), DERELLE (S.), DESCHAMPS (J.), HENRY (D.), -LANGLOIS (S.) - Nightglow studies at Onera for night-vision applications. - In Optics in Atmospheric Propagation and Adaptive Systems XX, International Society for Optics and Photonics, vol. 10425, p. 104250E (2017).
(4) - RIALLAND (V.), GUY (A.), GUEYFFIER (D.), PEREZ (P.), ROBLIN (A.), SMITHSON (T.) - Infrared signature modelling of a rocket jet plume-comparison with flight measurements. - In Journal of Physics : Conference Series, IOP Publishing, vol. 676, n° 1, p. 012020 (2016).
(5) - ROGALSKI (A.) - Infrared detectors. - CRC press (2010).
...
Détecteurs quantiques pour l'ultraviolet, le visible et le proche infrarouge.
Caractérisations électro-optiques des détecteurs plans focaux IR.
Imagerie à bas niveau de lumière – Fondamentaux et perspectives.
« Standard for Characterization of Image Sensors and Cameras » - EMVA 1288 -
WHITE (A.). – Infrared detectors, US Patent 4 679 063 (22 septembre 1983).
McKENZIE (T.K.C.), BORNFREUND (R.E.), LEONARD (D.) et CARLSON (G.A.) (2018). – US Patent n° 10, 153, 204. Washington, DC : US Patent and Trademark Office.
HAUT DE PAGE
AIM https://www.aim-ir.com/en/home.html
Chunghwa https://www.clpt.com.tw/
Fairchild Imaging (Bae Systems) https://www.fairchildimaging.com/products/thermal-cores
Ghopto http://www.ghopto.com
Global Sensor Technology http://gsten.gst-ir.com/
Hamamatsu https://www.hamamatsu.com/eu/en/product/optical-sensors/image-sensor/ingaas-image-sensor/index.html...
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