Article de référence | Réf : E3335 v1
Auteur(s) : Charlotte TRIPON-CANSELIET
Date de publication : 10 janv. 2014
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Électronique (224 articles en ce moment)
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Cette partie concerne principalement la génération et la recombinaison de porteurs dans un matériau semi-conducteur.
2.1 Densité de charges dans un matériau semi-conducteur
Pour chaque type de matériau semi-conducteur, extrinsèque ou intrinsèque (c'est-à-dire, dopé ou non intentionnellement dopé), à l'état d'équilibre thermodynamique, les concentrations en électrons n0 (1) et en trous p0 (2) sont définies à partir de la densité d'états dans la bande de valence Nv et dans la bande de conduction Nc . Elles dépendent également des niveaux d'énergie minimale dans la bande de conduction Ec et d'énergie maximale de la bande de valence Ev , ainsi que du niveau de Fermi EF . Elles peuvent aussi s'exprimer en fonction de la concentration intrinsèque ni du matériau semi-conducteur suivant la loi d'action de masse (3) :
avec :
Hors équilibre, c'est-à-dire lorsque le matériau est soumis à une perturbation externe telle qu'une illumination, ces concentrations de porteurs de charges sont modifiées, selon les équations ...
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ÉLECTRONIQUE
(1) - SALEH (B.E.A.), TEICH (M.C.) - Fundamentals of photonics. - Wiley Interscience.
(2) - VIGNAUD (D.) et al - Electron lifetime of heavily Be-doped InGaAs as a function of growth temperature and doping density. - Applied Physics Letters, 80, no 22, p. 4151-4153, juin 2002.
(3) - YONEYAMA (M.) et al - A differential photoconductive and gate with Be-doped low-temperature-grown InGaAs-InAlAs MQW MSM-PD's. - IEEE Journal of Quantum Electronics, 33, no 8, p. 1308-1315, août 1997.
(4) - SUKHOTON (M.) et al - Picosecond photocarrier-lifetime in ErAs : InGaAs at 1,55 μm. - Applied Physics Letters, 83, no 19, p. 3921-3923, nov. 2003.
(5) - BERTULIS (K.), KROTKUS (A.), ALEKSEJENKO (G.), PACEBUTAS (V.), ADOMAVICIUS (R.) et al - GaBiAs : a material for optoelectronic terahertz devices. - Appl. Phys. Lett., 88, p. 201112 (2006).
(6)...
Société Française d'Optique, Club optique et micro-ondes http://www.sfoptique.org/SFO/club-omw/
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IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics http://www.ieee/conferences_events
International Asia-Pacific Microwave Photonics Conference (APMP)
IEEE European Microwave Conference (EuMC) http://www.eumweek.com)
IEEE International Microwave Symposium (IMS) http://www.imsconferences.com
SPIE Photonics Europe http://www.spie.org/photonics-europe.html
SPIE Photonics West http://www.spie.org
HAUT DE PAGE
Quelques brevets sur les photocommutateurs hyperfréquences
ALQUIÉ (.G), CHAZELAS (J.), COUTAZ (J.-L.), DECOSTER (D.), FORMONT (S.), MAGNIN (V.), ROUX (J.-F.), TRIPON-CANSELIET (Ch.). – Dispositif pour confiner l'onde optique de commande dans la zone active d'un dispositif électronique à commande optique, FR2908569 (A1), 16 mai 2008
FORMONT (S.), CHAZELAS (J.), ALGANI (C.), ALQUIE (G.), CANSELIET (Ch.), DESHOURS (F.). – Commutateur...
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