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Article de référence | Réf : E3335 v1
Auteur(s) : Charlotte TRIPON-CANSELIET
Date de publication : 10 janv. 2014
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Définition des interactions d'une onde électromagnétique
À la rencontre d'un matériau, les champs électrique E et magnétique B qui définissent une onde électromagnétique évoluant dans le temps à une pulsation ω et suivant un vecteur d'onde k, vont interagir avec les propriétés électromagnétiques du milieu telles que sa permittivité (ou indice), sa perméabilité et sa conductivité.
Durant cette interaction, le couplage de ces champs avec la matière à différents ordres va créer des effets sur la polarisation du milieu (tableau 1).
Comportement réfractif
Dans le cas d'une réfraction de cette onde à une longueur d'onde pour laquelle ce milieu est obligatoirement transparent (isolant), c'est-à-dire, pour une large bande spectrale pour les matériaux diélectriques, des interactions électro- ou acousto-optiques à différents ordres permettent de modifier l'indice du milieu traversé et donc de transmettre l'onde incidente sous différents angles selon la loi de réfraction bien connue de Snell-Descartes.
L'interaction d'une onde optique avec un matériau sera différente suivant la nature du matériau. Dans le cas d'un matériau conventionnel (n > 1), l'angle de réfraction sera positif et dans le cas d'un matériau artificiel (n < 0) cet angle de réfraction sera négatif (figure 1).
Ci-dessus : Interaction d'une onde optique avec un milieu conventionnel
ou artificiel (n < 1)
Comportement réflecteur
Dans le cas d'une interaction avec un milieu totalement réfléchissant, l'onde incidente va être réfléchie sous un angle égal à l'angle d'incidence pour un milieu conducteur. Si le milieu est isolant, l'onde est réfléchie et/ou diffractée sous un angle respectant la relation de réflexion de Snell-Descartes.
Comportement absorbant
C'est sur ce type de matériaux et en particulier sur ceux qui présentent une bande interdite (matériau semi-conducteur) que se focalisera cet article.
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ÉLECTRONIQUE
(1) - SALEH (B.E.A.), TEICH (M.C.) - Fundamentals of photonics. - Wiley Interscience.
(2) - VIGNAUD (D.) et al - Electron lifetime of heavily Be-doped InGaAs as a function of growth temperature and doping density. - Applied Physics Letters, 80, no 22, p. 4151-4153, juin 2002.
(3) - YONEYAMA (M.) et al - A differential photoconductive and gate with Be-doped low-temperature-grown InGaAs-InAlAs MQW MSM-PD's. - IEEE Journal of Quantum Electronics, 33, no 8, p. 1308-1315, août 1997.
(4) - SUKHOTON (M.) et al - Picosecond photocarrier-lifetime in ErAs : InGaAs at 1,55 μm. - Applied Physics Letters, 83, no 19, p. 3921-3923, nov. 2003.
(5) - BERTULIS (K.), KROTKUS (A.), ALEKSEJENKO (G.), PACEBUTAS (V.), ADOMAVICIUS (R.) et al - GaBiAs : a material for optoelectronic terahertz devices. - Appl. Phys. Lett., 88, p. 201112 (2006).
(6)...
Société Française d'Optique, Club optique et micro-ondes http://www.sfoptique.org/SFO/club-omw/
HAUT DE PAGE
IEEE International Topical Meeting on Microwave Photonics http://www.ieee/conferences_events
International Asia-Pacific Microwave Photonics Conference (APMP)
IEEE European Microwave Conference (EuMC) http://www.eumweek.com)
IEEE International Microwave Symposium (IMS) http://www.imsconferences.com
SPIE Photonics Europe http://www.spie.org/photonics-europe.html
SPIE Photonics West http://www.spie.org
HAUT DE PAGE
Quelques brevets sur les photocommutateurs hyperfréquences
ALQUIÉ (.G), CHAZELAS (J.), COUTAZ (J.-L.), DECOSTER (D.), FORMONT (S.), MAGNIN (V.), ROUX (J.-F.), TRIPON-CANSELIET (Ch.). – Dispositif pour confiner l'onde optique de commande dans la zone active d'un dispositif électronique à commande optique, FR2908569 (A1), 16 mai 2008
FORMONT (S.), CHAZELAS (J.), ALGANI (C.), ALQUIE (G.), CANSELIET (Ch.), DESHOURS (F.). – Commutateur...
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