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Article

1 - PULVÉRISATION CATHODIQUE MAGNÉTRON POUR LA SYNTHÈSE DE FILMS MINCES

2 - LA PULVÉRISATION CATHODIQUE EN RÉGIME D’IMPULSIONS DE HAUTE PUISSANCE

3 - IMPORTANCE DU CHAMP MAGNÉTIQUE DANS UN PROCÉDÉ DE PULVÉRISATION CATHODIQUE MAGNÉTRON

4 - EXEMPLES D’APPLICATIONS

5 - CONCLUSION

6 - GLOSSAIRE

RECHERCHE ET INNOVATION | Réf : IN207 v2

Glossaire
Pulvérisation cathodique magnétron à haute puissance (HiPIMS)

Auteur(s) : Matthieu MICHIELS

Date de publication : 10 oct. 2025 | Read in English

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RÉSUMÉ

La technologie HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering) constitue une avancée majeure dans le domaine des dépôts physiques en phase vapeur (PVD) pour la synthèse de films minces fonctionnels. Cet article débute par une présentation de la pulvérisation cathodique magnétron conventionnelle. Il introduit ensuite la technologie HiPIMS, en mettant l’accent sur les défis liés à la génération des impulsions de puissance et à la modélisation des champs magnétiques appliqués aux dispositifs de pulvérisation magnétron. Enfin, deux applications spécifiques de cette technologie sont étudiées : la synthèse de films de dioxyde de titane et de trioxyde de tungstène.

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Auteur(s)

  • Matthieu MICHIELS : Chargé de cours - Laboratoire d’électronique de puissance et procédés plasma (P³LAB), Haute École en Hainaut, Mons, Belgique

INTRODUCTION

Le monde industriel est en perpétuelle recherche de nouveaux produits, de nouveaux marchés ou de nouvelles technologies. C’est dans cette optique que le développement de nouveaux matériaux en couches minces, micro ou nanométriques, déposés par différents procédés sur des substrats de nature et de formes parfois complexes, confère de nouvelles propriétés ou fonctions, et, par conséquent, une grande valeur ajoutée. Ainsi, dans le cas du verre ou de l’acier, on peut citer, parmi d’autres, les propriétés photo catalytiques pour l’autonettoyage ou la dépollution, les propriétés antibactériennes, et les propriétés de protection contre la corrosion.

Pour obtenir ces couches minces, plusieurs méthodes de synthèse sont couramment utilisées : les dépôts électrochimiques, les procédés par immersion, le dépôt physique en phase vapeur (PVD) , le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) [M 1 660] ou encore, les procédés sol-gel. Pour l’industriel, le choix du procédé dépend principalement de la facilité d’utilisation et d’implémentation, de la compatibilité du procédé avec le type du substrat (ex. : polymères), de son coût, de son impact environnemental et des installations existantes. Dans ce contexte, la technologie plasma est reconnue comme une technologie « verte » permettant d’obtenir un contrôle élevé des propriétés physico-chimiques des revêtements déposés (densité, rugosité, cristallinité, composition chimique, etc.).

Lorsque l’on utilise les procédés conventionnels de pulvérisation à courant continu, la majorité des particules pulvérisées restent globalement neutres, ce qui empêche de contrôler l’énergie et la direction des espèces participant à la croissance du film. Or, pour bon nombre d’applications, il est intéressant de maîtriser cet aspect, pour permettre aux espèces de se déposer majoritairement sur la surface du substrat et éviter, de cette manière, la pulvérisation sur les parois du réacteur. Dans le cas de la fabrication de circuits intégrés, par exemple, il est préférable d’obtenir un flux de particules, en provenance du plasma, perpendiculaire à la surface du substrat, ce qui favorise la croissance de films structurés. Les substrats de formes complexes sont aussi recouverts uniformément grâce au contrôle de la direction, par un champ magnétique bien étudié, et de l’énergie des espèces chargées. La qualité des films est aussi fortement dépendante de l’énergie fournie aux espèces participant à la croissance du film. Il est donc intéressant de produire un plasma fortement ionisé .

À l’heure actuelle, plusieurs techniques permettent de produire des plasmas comprenant une fraction importante d’espèces ionisées. Une de ces techniques est l’évaporation par arcs, connue pour produire des revêtements denses. La principale difficulté de l’évaporation par arcs réside dans la formation de microgouttelettes, qui réduisent la qualité des films. D’autres sources permettent d’ioniser le plasma de manière plus importante (typiquement quelques dizaines de pour cent) par rapport à une décharge magnétron classique à courant continu (inférieur à 1 %). C’est le cas, par exemple, des décharges magnétron assistées par boucle RF ou micro-ondes .

Dans un procédé de pulvérisation conventionnel, la densité du plasma est accrue par l’augmentation de la puissance moyenne appliquée à la cible. Cela provoque cependant un échauffement considérable de la cible, et limite l’augmentation de la densité du plasma. Ce problème peut être résolu par l'utilisation d’impulsions de haute puissance à faible rapport cyclique. Lorsque cette technique est appliquée à une cathode magnétron, des taux d’ionisation significatifs peuvent être atteints, souvent supérieurs à 50 %, caractéristiques des régimes pulsés tels que la pulvérisation magnétron impulsionnelle.

Cet article traite des dépôts physiques en phase vapeur de films minces fonctionnels réalisés en régime de forte ionisation. Cette voie de synthèse est plus couramment appelée par son acronyme anglo-saxon IPVD pour Ionized Physical Vapor Deposition. Cette catégorie regroupe plusieurs techniques dont la technologie HiPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering), aussi parfois appelée HPPMS (High Power Pulsed Magnetron Sputtering).

Points clés

Domaine : science des matériaux et couches minces

Degré de diffusion de la technologie : maturité

Technologies impliquées : pulvérisation cathodique magnétron, technologies plasma, technologie du vide, ingénierie électronique

Domaines d’application : mécanique et ingénierie de surface, micro et nano-électronique, optique et photonique, énergie et environnement. Plus particulièrement : dépôt de revêtements denses, biocompatibles, antibactériens, anticorrosion. Couches fonctionnelles optiques et couches pour la microélectronique.

Principaux acteurs français

  • Pôles de compétitivité/Centres de compétence : LPGP – Université de Paris-Saclay – Paris

  • CNRS – IMN (Institut des Matériaux de Nantes) – Nantes

  • GREMI (Groupe de Recherches sur l’Énergétique des Milieux Ionisés) – Orléans

Autres acteurs dans le monde : Université de Mons (BE), Materia Nova (BE), Université de Linköping (SE), Ionautics (SE), Fraunhofer IST (DE), Cemecon (DE), MELEC GmbH (DE), Starfire Industries (US).

Contacts : [email protected] / http://www.HEHpowerlab.be

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DOI (Digital Object Identifier)

https://doi.org/10.51257/a-v2-in207


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6. Glossaire

Dépôt physique en phase vapeur ; Physical vapor deposition

Procédé dans lequel un matériau est vaporisé physiquement (par chauffage ou bombardement ionique) dans le vide, puis condense sur une surface pour former un film mince.

Magnétron ; Magnetron

Dispositif qui utilise un champ magnétique combiné à un champ électrique pour piéger les électrons près de la surface de la cible (cathode), ce qui augmente la densité du plasma et améliore le rendement de pulvérisation.

Auto-pulvérisation ; Self-sputtering

Une fraction des atomes éjectés de la cible peut être ionisée dans la région d’ionisation, proche de la cathode. Ces ions, sous l’effet du champ électrique, peuvent alors être réattirés vers la cathode, et participer activement à la pulvérisation, dans un mécanisme dit d’auto-pulvérisation.

Piste d’érosion ; Racetrack

Zone circulaire, ou annulaire, de la cible (cathode) où les atomes sont principalement arrachés sous l'effet du bombardement ionique. C’est l’endroit où le matériau de la cible est le plus fortement érodé au cours du processus.

Convertisseur de puissance de type hacheur ; Buck converter

Convertisseur électronique de puissance qui permet de modifier la valeur moyenne d’une tension continue en interrompant périodiquement le courant à l’aide de commutateurs électroniques (transistors, thyristors, etc.). Il agit comme un interrupteur très rapide qui « hache » la tension d’entrée.

Rapport cyclique ; Duty cycle

Grandeur sans unité qui exprime la proportion de temps pendant laquelle un signal périodique (généralement un signal carré) est à l’état actif (haut), par rapport à sa période totale.

Microscopie électronique à balayage (MEB) ; Scanning Electron Microscopy (SEM)

Technique d’observation qui utilise un faisceau d’électrons focalisé pour balayer la surface d’un échantillon et produire une image en haute résolution de sa morphologie.

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BIBLIOGRAPHIE

  • (1) - ICHOU (H.), ARROUSSE (N.), -BERDIMURODOV (E.), ALIEV (N.) -   Exploring the Advancements in Physical Vapor Deposition Coating: A Review.  -  Journal of Bio- and Tribo-Corrosion, 10, 3 (2024).

  • (2) - HELMERSSON (U.), LATTEMANN (M.), BOHLMARK (J.), EHIASARIAN (A.P.), -GUDMUNDSSON (J.T.) -   Ionized physical vapor deposition (IPVD) : a review of technology and applications.  -  Thin Solid Films, 513, p. 1-24 (2006).

  • (3) - DE POUCQUES (L.), IMBERT (J.-C.), VASINA (P.), BOISSE-LAPORTE (C.), TEULE-GAY (L.), BRETAGNE (J.), TOUZEAU (M.) -   Comparison of the ionization efficiency in a microwave and a radio-frequency assisted magnetron discharge.  -  Surfaces & Coatings Technology, 200, p. 800-803 (2005).

  • (4) - LOGAN (J.) -   R.F. diode sputtering.  -  Thin Solid Films, 188, p. 307-321 (1990).

  • (5) - SAFI (I.) -   Recent aspects concerning DC reactive magnetron sputtering of thin films : a review.  -  Surface and Coatings Technology, 127, p. 203-219 (2000).

  • ...

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