Perspectives et évolution
Dépôt sélectif par zone - ASD

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RE264 V1 Article de référence

Perspectives et évolution
Dépôt sélectif par zone - ASD

Auteur(s) : Marceline BONVALOT, Rémy GASSILLOUD, Vincent JOUSSEAUME, David MUÑOZ-ROJAS, Christophe VALLÉE

Date de publication : 10 septembre 2026

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4. Perspectives et évolution

Le procédé ASD est certainement le troisième procédé de la famille des procédés à l’échelle atomique ( Atomic Scale Processing , ASP) à être développé par les équipementiers de l’industrie des semiconducteurs, après les procédés de dépôt (ALD) et de gravure (ALE). Il présente l’avantage de simplifier les schémas d’intégration, de réduire les coûts de fabrication, de réduire les erreurs de placements, et de minimiser l’impact écologique des circuits intégrés.

Parmi les différentes techniques que nous décrivons, il semble que l’ASD par inhibition soit actuellement la stratégie la plus mature industriellement. Néanmoins, pour une intégration à large échelle, il reste à comprendre et à maîtriser la tenue des inhibiteurs dans le temps et avec la température, à optimiser l’uniformité des procédés, et à limiter le plus possible...

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