4. Perspectives et évolution
Le procédé ASD est certainement le troisième procédé de la famille des procédés à l’échelle atomique (Atomic Scale Processing, ASP) à être développé par les équipementiers de l’industrie des semiconducteurs, après les procédés de dépôt (ALD) et de gravure (ALE). Il présente l’avantage de simplifier les schémas d’intégration, de réduire les coûts de fabrication, de réduire les erreurs de placements, et de minimiser l’impact écologique des circuits intégrés.
Parmi les différentes techniques que nous décrivons, il semble que l’ASD par inhibition soit actuellement la stratégie la plus mature industriellement. Néanmoins, pour une intégration à large échelle, il reste à comprendre et à maîtriser la tenue des inhibiteurs dans le temps et avec la température, à optimiser l’uniformité des procédés, et à limiter le plus possible les défectivités. Certains points, tels que le mushrooming,...
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Perspectives et évolution
Glossaire
Sources bibliographiques
- (1) - ALAM (M.A.), GREEN (M.L.) - Mathematical description of atomic layer deposition and its application to the nucleation and growth of gate dielectric layers. - J. Appl. Phys., 94, p. 3403-3413 (2003).
- (2) - KIRSCH (P.D.), QUEVEDO-LOPEZ (M.A.), LI (H.-J.), SENZAKI (Y.), PETERSON (J.J.), SONG (S.C.), KRISHNAN...
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