2. ASD : Approches et stratégies
HAUT DE PAGE
2.1.1 Approche bottom-up et température
Dans une approche ASD, le film est directement formé avec la géométrie
souhaitée sur les zones de croissance préalablement dessinées sur
le substrat. Cela nécessite d’assister la sélectivité de la croissance
en favorisant ou en bloquant la nucléation sur les régions dédiées
du substrat. Les zones délimitant le motif sont définies en premier,
puis le film croît localement sur certaines régions du substrat, selon
une approche...
Cet article est réservé aux abonnés
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ?
Se connecter
Lecture en cours
ASD : Approches et stratégies
Sources bibliographiques
-
(1) - ALAM (M.A.), GREEN (M.L.) -
Mathematical description
of atomic layer deposition and its application to the nucleation and
growth of gate dielectric layers
.
-
J. Appl.
Phys.,
94
, p. 3403-3413 (2003).
- ...
Cet article est réservé aux abonnés
Cet article est réservé aux abonnés. Il vous reste 92 % à découvrir.
Déjà abonné ?
Se connecter