2. ASD : Approches et stratégies
2.1 Approches ascendantes ou bottom-up pour le dépôt sélectif
2.1.1 Approche bottom-up et température
Dans une approche ASD, le film est directement formé avec la géométrie souhaitée sur les zones de croissance préalablement dessinées sur le substrat. Cela nécessite d’assister la sélectivité de la croissance en favorisant ou en bloquant la nucléation sur les régions dédiées du substrat. Les zones délimitant le motif sont définies en premier, puis le film croît localement sur certaines régions du substrat, selon une approche bottom-up...
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ASD : Approches et stratégies
ASD : exemples d’applications industrielles
Sources bibliographiques
- (1) - ALAM (M.A.), GREEN (M.L.) - Mathematical description of atomic layer deposition and its application to the nucleation and growth of gate dielectric layers. - J. Appl. Phys., 94, p. 3403-3413 (2003).
- (2) - KIRSCH (P.D.), QUEVEDO-LOPEZ (M.A.), LI (H.-J.), SENZAKI (Y.), PETERSON (J.J.), SONG (S.C.), KRISHNAN...
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